Патенты с меткой «aіvbvі»

Способ формирования пленок бинарных полупроводниковых соединений групп AІІBVІ или AІVBVІ на подложках из монокристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 17212

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Бондаренко Виталий Парфирович, Клышко Алексей Александрович, Чубенко Евгений Борисович

МПК: H01L 21/02, C25D 9/08, C30B 29/10...

Метки: aіvbvі, подложках, формирования, aііbvі, групп, кремния, монокристаллического, полупроводниковых, соединений, или, бинарных, пленок, способ

Текст:

...Для улучшения равномерности осаждения и повышения планарности пленок полупроводниковых соединений на пористый кремний методом катодного электрохимического осаждения может быть нанесен тонкий слой металла толщиной 0,01-0,5 мкм. Наличие тонкого слоя металла на поверхности пористого кремния приводит к повышению эквипотенциальности и равномерности распределения катодного тока в процессе осаждения. В качестве таких металлов могут быть...