Патенты с меткой «фоторезиста»

Номер патента: 18444

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Цивако Алексей Александрович

МПК: H01L 21/02, B08B 3/02

Метки: поликристаллического, плазмохимического, способ, после, удаления, фоторезиста, травления, кремния

Текст:

...обработкой в течение 3-7 мин выполняют аэрозольную обработку в смеси, содержащей аммиак, перекись водорода и нагретую от 80 до 90 С деионизованную воду при следующих расходах компонентов, л/мин аммиак 0,125-0,250 перекись водорода 0,2-0,3 вода деионизованная 1,3-2,0. Использования идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. 18444 1 2014.08.30 При обработке пластин в...

Номер патента: 16838

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Трусов Виктор Леонидович, Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/30

Метки: удаления, полупроводниковых, фоторезиста, полимерных, загрязнений, пластин, травления, способ, кремниевых, аэрозольного, поверхности, после, плазмохимического

Текст:

...а увеличение концентрации аммиака более 1,5 объемных частей приводит к увеличению скорости травления пленки 2 и подтравам поликремния. Снижение концентрации перекиси водорода в смеси аммиака, перекиси водорода и воды менее 1,0 объемной части приводит к увеличению привнесенной дефектности, и наблюдаются подтравы поликремния, а увеличение концентрации перекиси водорода более 1,5 объемных частей приводит к неполному удалению полимера. Снижение...

Номер патента: 15743

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, приборов, металлизации, удаления, системы, состав, изготовлении, фоторезиста

Текст:

...поскольку все 2 15743 1 2012.04.30 продукты его разложения являются газообразными. Кислород не участвует в реакции гидролиза, поэтому гидролиз поверхности полиимидной пленки, как и в случае прототипа,протекает согласно реакции Протекание данной химической реакции обусловлено контактом раствора с поверхностью полиимидной пленки по окончании процесса удаления фоторезиста. Водные растворы моноэтаноламина обладают основными свойствами....

Номер патента: 11541

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Плебанович Владимир Иванович, Бахматова Надежда Андреевна

МПК: G03F 7/32

Метки: фоторезиста, проявления, позитивного, состав

Текст:

...бак установки приготовления растворов расчетный объем воды. 2.3. Взвесить расчетные массы гидроксида натрия, синтанола АЛМ-10, полиэтиленгликоля 4000 и высыпать в транспортную емкость. 2.4. Перемешать полученный состав. Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами. Для приготовления заявляемого состава были взяты различные концентрации гидроксида натрия, синтанола АЛМ-10, полиэтиленгликоля...

Номер патента: 1688

Опубликовано: 30.06.1997

Авторы: Сергеев Виктор Петрович, Роговой Владимир Иванович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/306

Метки: способ, пластин, поверхности, фоторезиста, удаления, кремниевых

Текст:

...опасностью растрескивания пластин вследствие большого перепада температуры при последующей промывке пластин в деионизованной воде с температурой 5010. Деионизованная вода, в которой отмываются пластины от остатков серной кислоты, содержит примеси органического происхождения, как-то частицы ионообменных смол, микроорганизмы. Для их разложения вводится путем барботирования озоносодержащий газ. Органические примеси при концентрации озона 3, 12...