C30B 29/46 — серо-, селен- или теллурсодержащие соединения

Номер патента: 18174

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Мянзелен Руслан Равильевич, Корзун Борис Васильевич, Шелег Александр Устинович, Соболь Валерий Романович

МПК: C30B 29/46

Метки: способ, cual5s8, соединения, получения

Текст:

...состоящую из химических элементов меди, алюминия и серы, для предотвращения взаимодействия алюминия с материалом ампулы загружали в тигель из нитрида бора и помещали его в кварцевой ампуле. После загрузки ампулу вакуумировали, запаивали и размещали в вертикальную печь сопротивления, изготовленную таким образом,что на ее протяжении существует температурный градиент более 20 и не более 30 /см. После этого с целью получения однородного...

Номер патента: 17820

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Башкиров Семен Александрович, Гременок Валерий Феликсович

МПК: C23C 14/24, C30B 29/46, H01L 31/18...

Метки: пленок, тонких, получения, способ

Текст:

...Сущность изобретения заключается в использовании для переноса паров испаряемого материала к подложке кварцевой трубки с температурой 60010 С. Способ получения пленкивключает следующие стадии получение порошкапутем сплавления олова и серы очистка стеклянной подложки напыление пленки . На первом этапе проводят получение поликристаллического порошкапутем сплавления олова и серы, взятых в стехиометрическом соотношении с точностью до 510-4 г....

Номер патента: 17457

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Корзун Борис Васильевич, Пушкарев Анатолий Васильевич, Желудкевич Александр Ларионович, Олехнович Николай Михайлович

МПК: H01L 31/18, C30B 29/46

Метки: полупроводниковых, способ, получения, твердых, растворов

Текст:

...твердых растворов на основе тройных соединений 2 и 2 заключается в следующем. Вначале подготавливают шихту заданного состава с 00,15 из предварительно полученных тройных соединений 2 и 2. Шихту гомогенизируют в шаровой мельнице. После этого шихту запрессовывают в таблетки, помещают в камеру высокого давления и подвергают термобарической обработке в течение 3-20 мин при давлении 4-6 ГПа и температуре 9701270 . Далее таблетки извлекают из...

Номер патента: 16032

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Шелег Александр Устинович, Корзун Борис Васильевич, Желудкевич Александр Ларионович

МПК: C30B 29/46

Метки: материал, полупроводниковый

Текст:

...определяли по знаку термо-э.д.с. Примеры конкретного получения нового полупроводникового материала. Пример 1. Для получения нового полупроводникового материала 1-1,99-(1-) с атомарной долей галлия 0,20 и недостатком серы 0,05, что соответствует составу 0,200,801,95, в кварцевую ампулу внутренним диаметром 28 мм и длиной 160 мм загружали шихту, содержащую механическую смесь химических элементов, ат. доля -0,2532,- 0,0506,- 0,2025,- 0,4937....

Номер патента: 15410

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: ХААСС, Франк

МПК: H01L 35/16, C30B 29/46

Метки: теллуриды, термоэлектрического, свинца, легированные, применения

Текст:

...дробление материала, полученного на этапе (1)(3) прессование материала, полученного на этапе (2), до формованных изделий и(4) спекание формованных изделий, полученных на этапе (3). Другим предметом данного изобретения является применение описанного выше полупроводникового материала и полупроводникового материала, полученного с помощью описанного выше способа, в качестве термоэлектрического генератора или устройства Пельтье. Еще одним...

Номер патента: 15451

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Унучек Денис Николаевич, Гременок Валерий Феликсович, Иванов Василий Алексеевич, Башкиров Семен Александрович

МПК: H01L 31/18, C30B 29/46, C23C 28/00...

Метки: структуры, элементов, солнечных, получения, тонкопленочной, основе, способ

Текст:

...стекла,имеющей температуру 59010 С, химически осаждают на полученный слойслой, на который затем последовательно методом магнетронного распыления наносят высокоомный и низкоомный слоии алюминиевый контакт. Сущность изобретения заключается в том, что слоинаносят методом горячей стенки при давлении 10-6 мбар, температуре стенок 59010 С и температуре подложки 280-300 С в течение 15-30 мин, а также в использовании двух слоеви алюминиевого...

Номер патента: 14710

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Соболь Валерий Романович, Шелег Александр Устинович, Корзун Борис Васильевич, Фадеева Елена Александровна

МПК: C30B 29/46, C01B 19/00

Метки: получения, соединения, cualte2, способ, халькопирита, полупроводникового, структурой

Текст:

...2 происходит в результате гетерогенной реакции между твердой фазой состава (2)0,97(23)0,03(первичные выпавшие кристаллы) и жидкостью состава (2)0,40(23)0,60 2. Учитывая, что такие реакции протекают очень медленно, то для получения гомогенных образцов соединения со структурой халькопирита 2 необходимо использовать высокие температуры (1000 К) и длительное время отжига (10 суток). Задачей настоящего изобретения является сокращение времени...