Патенты с меткой «плазмохимического»

Номер патента: 18444

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Цивако Алексей Александрович

МПК: H01L 21/02, B08B 3/02

Метки: фоторезиста, способ, после, кремния, травления, удаления, плазмохимического, поликристаллического

Текст:

...обработкой в течение 3-7 мин выполняют аэрозольную обработку в смеси, содержащей аммиак, перекись водорода и нагретую от 80 до 90 С деионизованную воду при следующих расходах компонентов, л/мин аммиак 0,125-0,250 перекись водорода 0,2-0,3 вода деионизованная 1,3-2,0. Использования идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. 18444 1 2014.08.30 При обработке пластин в...

Номер патента: 16838

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Трусов Виктор Леонидович, Медведева Анна Борисовна, Турцевич Аркадий Степанович, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: H01L 21/30

Метки: загрязнений, полимерных, аэрозольного, кремниевых, травления, способ, после, поверхности, полупроводниковых, фоторезиста, удаления, пластин, плазмохимического

Текст:

...а увеличение концентрации аммиака более 1,5 объемных частей приводит к увеличению скорости травления пленки 2 и подтравам поликремния. Снижение концентрации перекиси водорода в смеси аммиака, перекиси водорода и воды менее 1,0 объемной части приводит к увеличению привнесенной дефектности, и наблюдаются подтравы поликремния, а увеличение концентрации перекиси водорода более 1,5 объемных частей приводит к неполному удалению полимера. Снижение...

Номер патента: U 8893

Опубликовано: 30.12.2012

Авторы: Голозубов Андрей Леонидович, Голозубова Анна Алексеевна, Купрацевич Юрий Николаевич, Ворончук Виталий Александрович

МПК: H05H 1/26, C23C 4/00

Метки: плазмохимического, плазмотрона, наненсения, анод, покрытий

Текст:

...счет повышения стабильности процесса путем создания условий, обеспечивающих поддержание заданной концентрации реагентов в плазменной струе, что приведет к снижению себестоимости изготовления деталей и получению за счет этого экономического эффекта. Для решения поставленной задачи в конструкцию анода плазмотрона внесены изменения. Анод плазмотрона для плазмохимического нанесения покрытий, выполненный в виде детали цилиндрической формы, которая...

Номер патента: U 7362

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Голозубов Андрей Леонидович, Старовойтов Александр Михайлович, Голозубова Анна Алексеевна

МПК: H05H 1/26

Метки: конструкция, анода, плазмохимического, нанесения, плазмотрона, покрытий

Текст:

...входной поверхностью,внутренним коаксиальным каналом для стабилизации плазменной струи и наружным коаксиальным каналом для ламинеризации плазменной струи. Внутренний коаксиальный канал дополнительно снабжен проходными отверстиями для подачи паров реагента. В предлагаемой конструкции анода плазмотрона для плазмохимического нанесения покрытий, ввод реагента в паровой фазе осуществляется раздельно с плазмообразующим газом и происходит не в...

Номер патента: 2306

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Пархимович Эдуард Михайлович, Андреев Алексей Робертович, Иванина Ольга Васильевна, Голозубов Андрей Леонидович

МПК: H05H 1/26

Метки: покрытий, плазмотрон, плазмохимического, нанесения

Текст:

...плазмотрона на расстоянии 10-20 мм. Задачей настоящего изобретения является повышение производительности процесса и увеличение выхода полезного продукта путем улучшения смешивания реагентов в результате возбуждения в плазме акустических колебаний. 2306 1 Указанная задача решается тем, что в плазмотроне для плазмохимического нанесения покрытий, согласно изобретению, содержащем корпус, водоохлаждаемые торцевые анод и катод,...