H01L 21/30 — обработка полупроводников с использованием способов и устройств, не предусмотренных в
Способ аэрозольного удаления фоторезиста и полимерных загрязнений с поверхности полупроводниковых кремниевых пластин после плазмохимического травления
Номер патента: 16838
Опубликовано: 28.02.2013
Авторы: Трусов Виктор Леонидович, Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Турцевич Аркадий Степанович
МПК: H01L 21/30
Метки: удаления, полупроводниковых, способ, кремниевых, травления, плазмохимического, после, полимерных, фоторезиста, загрязнений, пластин, аэрозольного, поверхности
Текст:
...а увеличение концентрации аммиака более 1,5 объемных частей приводит к увеличению скорости травления пленки 2 и подтравам поликремния. Снижение концентрации перекиси водорода в смеси аммиака, перекиси водорода и воды менее 1,0 объемной части приводит к увеличению привнесенной дефектности, и наблюдаются подтравы поликремния, а увеличение концентрации перекиси водорода более 1,5 объемных частей приводит к неполному удалению полимера. Снижение...
Устройство для сушки маркированных полупроводниковых приборов
Номер патента: 1467
Опубликовано: 16.12.1996
Автор: Кужелев Валентин Иванович
МПК: H01L 21/30, H01L 21/00, H01G 13/04...
Метки: устройство, маркированных, полупроводниковых, приборов, сушки
Текст:
...одною механизма в прорези другого при повышенных рабочих скоростях механизмов.Основная задача изобретения - создание надежного в эксгшуатации устройства с расширенными функциональными возможностями.Поставленная задача достигается тем, что устройство содержит магнитную систему, формирующую по длине устройства однородное магнитное поле в плоскости перемещения приборов, а перемещение приборов осуществляется гладкой непрерывной лентой с...