Трусов Виктор Леонидович

Номер патента: 18138

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Трусов Виктор Леонидович, Пшеничный Евгений Николаевич, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/205, C23C 16/56, C23C 16/30...

Метки: осаждения, пленок, фосфором, способ, кремния, легированных

Текст:

...сопротивления. И, наконец, формирование аморфного подслоя кремния способствует снижению общей шероховатости осаждаемой пленки. При температуре осаждения ниже 540 С существенно снижается скорость осаждения,что снижает производительность процесса. При температуре выше 560 С осаждается аморфно-кристаллический подслой кремния, что приводит к повышению шероховатости поверхности осажденных пленок, а также к сегрегации фосфора на границах...

Номер патента: 17953

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Колос Владимир Владимирович, Трусов Виктор Леонидович

МПК: B08B 7/00, H01L 21/44

Метки: силицида, титана, производства, интегральных, формирования, пленки, микросхем, способ

Текст:

...характеристик нагреваемого материала, а именно соотношения коэффициентов отражения, поглощения и пропускания материала в спектральном диапазоне источника излучения. Таким образом, температура тел, находящихся в реакторе быстрой термической обработки, различается. В этом случае, контроль температуры полупроводниковой пластины с помощью термопары, располагающейся в реакторе, не дает адекватных результатов. Для контроля температуры...

Номер патента: U 9208

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Шикуло Владимир Евгеньевич, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Трусов Виктор Леонидович, Алиева Наталья Васильевна

МПК: H01L 29/788

Метки: плавающим, затвором, транзистор, полевой

Текст:

...вовсе не присущи 6. Несмотря на небольшое различие в значении коэффициентов линейного термического расширения (клтр) 34 и кремния (3,410-6 -1 для 34 5 и 3,7210-6 -1 для 6), использование высоких температур при изготовлении ИС и отсутствие полиморфных превращений 34 приводят к возникновению высоких механических напряжений на границах раздела слоев. В связи с этим заявляемое техническое решение предусматривает использование тонких...

Номер патента: U 9178

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Трусов Виктор Леонидович, Алиева Наталья Васильевна, Шикуло Владимир Евгеньевич, Хмыль Александр Александрович

МПК: H01L 29/94

Метки: интегральных, конденсатор, микросхем

Текст:

...конденсатора и максимально возможную релаксацию механических напряжений. За счет этого резко снижается дефектность многослойного конденсаторного диэлектрика в целом и повышается воспроизводимость его характеристик. Мягкий пробой конденсаторного диэлектрика исчезает, емкость формируемого конденсатора стабилизируется. В итоге это позволяет уменьшить толщину диэлектрика и уменьшить площадь, занимаемую конденсатором, а также повысить выход...

Номер патента: 16838

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Медведева Анна Борисовна, Трусов Виктор Леонидович, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: H01L 21/30

Метки: фоторезиста, полимерных, травления, поверхности, аэрозольного, кремниевых, способ, полупроводниковых, после, удаления, плазмохимического, пластин, загрязнений

Текст:

...а увеличение концентрации аммиака более 1,5 объемных частей приводит к увеличению скорости травления пленки 2 и подтравам поликремния. Снижение концентрации перекиси водорода в смеси аммиака, перекиси водорода и воды менее 1,0 объемной части приводит к увеличению привнесенной дефектности, и наблюдаются подтравы поликремния, а увеличение концентрации перекиси водорода более 1,5 объемных частей приводит к неполному удалению полимера. Снижение...