H01L 21/18 — приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы IV группы Периодической Системы или соединения A
Способ фотоселективного электрохимического осаждения меди на поверхность кремниевой пластины p-типа проводимости
Номер патента: 17444
Опубликовано: 30.08.2013
Авторы: Стрельцов Евгений Анатольевич, Иванова Юлия Александровна, Иванов Дмитрий Константинович, Кулак Анатолий Иосифович
МПК: H01L 21/18, C25D 7/12, C25D 3/38...
Метки: фотоселективного, p-типа, осаждения, электрохимического, поверхность, способ, проводимости, пластины, кремниевой, меди
Текст:
...поддержания потенциала кремниевого электрода и для устойчивого поддержанияэлектролита, а увеличение содержания 33 более 0,7 моль/л ограничено растворимостью данного соединения в воде. Влияние концентрации компонентов и потенциалов на селективность процесса осаждения меди сопоставлено в таблице. Зависимость величины фототока, темнового тока осаждения меди на -кремний и степени селективности(отношение массы меди, осаждающейся под...