Башкиров Семен Александрович
Способ получения тонких пленок SnS
Номер патента: 17820
Опубликовано: 30.12.2013
Авторы: Башкиров Семен Александрович, Гременок Валерий Феликсович
МПК: C30B 29/46, H01L 31/18, C23C 14/24...
Метки: получения, способ, тонких, пленок
Текст:
...Сущность изобретения заключается в использовании для переноса паров испаряемого материала к подложке кварцевой трубки с температурой 60010 С. Способ получения пленкивключает следующие стадии получение порошкапутем сплавления олова и серы очистка стеклянной подложки напыление пленки . На первом этапе проводят получение поликристаллического порошкапутем сплавления олова и серы, взятых в стехиометрическом соотношении с точностью до 510-4 г....
Тонкопленочный полупроводниковый фотодетектор
Номер патента: 16917
Опубликовано: 28.02.2013
Авторы: Башкиров Семен Александрович, Гременок Валерий Феликсович
МПК: H01L 31/18
Метки: фотодетектор, полупроводниковый, тонкопленочный
Текст:
...его стоимости. Новым, по мнению авторов, является использование в тонкопленочном полупроводниковом фотодетекторе в качестве полупроводникового слоя тонкой пленки - толщиной от 0,5 до 3 мкм. Сущность изобретения заключается в создании многослойной структуры стекло/-/. Создание структуры включает следующие стадии получение тонкой пленки - толщиной 0,5-3 мкм на стекле,нанесение на полученную пленку тонкого слоятолщиной 1-2 мкм. На первом...
Способ получения солнечных элементов на основе тонкопленочной структуры CdS/SnS
Номер патента: 15451
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Иванов Василий Алексеевич, Башкиров Семен Александрович, Гременок Валерий Феликсович, Унучек Денис Николаевич
МПК: C30B 29/46, H01L 31/18, C23C 28/00...
Метки: тонкопленочной, структуры, основе, способ, получения, элементов, солнечных
Текст:
...стекла,имеющей температуру 59010 С, химически осаждают на полученный слойслой, на который затем последовательно методом магнетронного распыления наносят высокоомный и низкоомный слоии алюминиевый контакт. Сущность изобретения заключается в том, что слоинаносят методом горячей стенки при давлении 10-6 мбар, температуре стенок 59010 С и температуре подложки 280-300 С в течение 15-30 мин, а также в использовании двух слоеви алюминиевого...