H01L 21/44 — изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов или устройств, не предусмотренных в
Способ формирования пленки силицида титана для производства интегральных микросхем
Номер патента: 17953
Опубликовано: 28.02.2014
Авторы: Трусов Виктор Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Колос Владимир Владимирович
МПК: H01L 21/44, B08B 7/00
Метки: формирования, титана, микросхем, производства, способ, интегральных, пленки, силицида
Текст:
...характеристик нагреваемого материала, а именно соотношения коэффициентов отражения, поглощения и пропускания материала в спектральном диапазоне источника излучения. Таким образом, температура тел, находящихся в реакторе быстрой термической обработки, различается. В этом случае, контроль температуры полупроводниковой пластины с помощью термопары, располагающейся в реакторе, не дает адекватных результатов. Для контроля температуры...
Способ формирования нанокристаллов германия Ge для энергонезависимой памяти
Номер патента: 17081
Опубликовано: 30.04.2013
Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Пшеничный Евгений Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич, Гайдук Петр Иванович, Новиков Андрей Геннадьевич
МПК: H01L 21/44, H01L 21/336
Метки: энергонезависимой, формирования, германия, памяти, нанокристаллов, способ
Текст:
...объясняется следующим образом. Ограничивающим фактором при производстве приборов с плавающим затвором из массива нанокристаллов является управление плотностью, размерами, площадью покрытия и однородностью нанокристаллов в пределах структуры плавающего затвора. Для оп 3 17081 1 2013.04.30 тимальной работы прибора желательно иметь плотность нанокристаллов 51010-1012 см-2,при этом средний размер нанокристаллов должен составлять 5-20 нм...
Способ струйной очистки поверхности полупроводниковых кремниевых пластин с металлизированной разводкой на основе алюминия
Номер патента: 16480
Опубликовано: 30.10.2012
Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Турцевич Аркадий Степанович, Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович
МПК: B08B 3/08, H01L 21/44
Метки: поверхности, разводкой, способ, металлизированной, кремниевых, основе, очистки, алюминия, полупроводниковых, пластин, струйной
Текст:
...водой в течение менее 60 с при скорости вращения менее 50 об./мин поверхность недостаточно гидрофилизируется, что приводит к подтраву поверхности алюминия и снижениювыхода ИМС. При предварительной обработке пластин деионизированной водой в течение более 180 секунд и скорости более 150 об./мин наблюдается коррозия алюминия и выход годных снижается. Сущность изобретения поясняется фиг. 1 и 2, где на фиг. 1 представлено значительное и...
Устройство для формирования пленки дисилицида титана на кремниевой подложке
Номер патента: U 8344
Опубликовано: 30.06.2012
Авторы: Стельмах Вячеслав Фомич, Маркевич Мария Ивановна, Колос Владимир Владимирович, Чапланов Аркадий Михайлович, Адашкевич Сергей Владимирович
МПК: H01L 21/44
Метки: пленки, титана, формирования, кремниевой, подложке, дисилицида, устройство
Текст:
...свойств пленки титана 2 совмещен с блоком перемещения кремниевой подложки 18. Устройство формирования пленки дисилицида титана на кремниевой подложке(фиг. 1) работает следующим образом. Кремниевая подложка через элемент загрузки 13 поступает в блок нанесения пленки титана 1, где осуществляется, как в известном устройстве 3, операция нанесения на поверхность кремниевой подложки пленки титана, например, способом магнетронного напыления,...