Новиков Виктор Александрович
Межуровневая диэлектрическая изоляция для полупроводниковых приборов
Номер патента: 17712
Опубликовано: 30.12.2013
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Новиков Виктор Александрович, Емельянов Антон Викторович
МПК: H01L 21/02
Метки: межуровневая, диэлектрическая, изоляция, приборов, полупроводниковых
Текст:
...травление слоев ПХО, нитрида кремния и термического диоксида кремния, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа отсутствуют самостоятельные операции гидрогенизации поверхности нитрида обработкой в водородсодержащей плазме, нанесения полиамидокислоты и ее сушка, термообработки слоя полиамидекислоты для ее превращения в полиимид они все заменены на всего одну операцию осаждения ПХО. Отсутствует также операция адгезионной...
Способ изготовления межуровневой диэлектрической изоляции для полупроводниковых приборов
Номер патента: 17618
Опубликовано: 30.10.2013
Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Новиков Виктор Александрович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: H01L 21/02
Метки: полупроводниковых, диэлектрической, способ, приборов, межуровневой, изоляции, изготовления
Текст:
...изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния требуемой толщины и конфигурации, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка,совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, травление контактных окон, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа,...
Межуровневая диэлектрическая изоляция для полупроводниковых приборов
Номер патента: U 8388
Опубликовано: 30.06.2012
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Новиков Виктор Александрович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович
МПК: H01L 21/02
Метки: изоляция, приборов, диэлектрическая, межуровневая, полупроводниковых
Текст:
...их выхода годных. Процесс изготовления заявляемой межуровневой диэлектрической изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка, совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, последовательное травление слоев...