Чубенко Евгений Борисович
Миниатюрный топливный элемент, батарея на основе миниатюрных топливных элементов и способы их изготовления
Номер патента: 17356
Опубликовано: 30.08.2013
Авторы: Холостов Константин Игоревич, Клышко Алексей Александрович, Чубенко Евгений Борисович, Бондаренко Виталий Парфирович
МПК: H01M 8/00
Метки: топливный, элемент, топливных, элементов, основе, миниатюрный, способы, батарея, изготовления, миниатюрных
Текст:
...выполнены в виде пленок пористого кремния толщиной 30-100 мкм, содержащих газ-диффузионный слой, а слой катализатора выполнен толщиной 1-5 мкм. 2. Способ изготовления миниатюрного топливного элемента по п. 1, в котором используют две пластины монокристаллического кремния, на планарную сторону каждой из которых наносят маскирующий слой нитрида кремния, на котором фотолитографией и травлением формируют рисунок слоя пористого кремния,...
Способ формирования пленок бинарных полупроводниковых соединений групп AІІBVІ или AІVBVІ на подложках из монокристаллического кремния
Номер патента: 17212
Опубликовано: 30.06.2013
Авторы: Чубенко Евгений Борисович, Бондаренко Виталий Парфирович, Клышко Алексей Александрович
МПК: C25D 9/08, C30B 29/10, H01L 21/02...
Метки: монокристаллического, подложках, aііbvі, или, aіvbvі, пленок, формирования, соединений, групп, полупроводниковых, кремния, способ, бинарных
Текст:
...Для улучшения равномерности осаждения и повышения планарности пленок полупроводниковых соединений на пористый кремний методом катодного электрохимического осаждения может быть нанесен тонкий слой металла толщиной 0,01-0,5 мкм. Наличие тонкого слоя металла на поверхности пористого кремния приводит к повышению эквипотенциальности и равномерности распределения катодного тока в процессе осаждения. В качестве таких металлов могут быть...
Способ формирования слоев кристаллического оксида цинка
Номер патента: 16930
Опубликовано: 30.04.2013
Авторы: Чубенко Евгений Борисович, Клышко Алексей Александрович, Бондаренко Виталий Парфирович
МПК: C23C 18/16, C30B 29/16
Метки: способ, формирования, оксида, цинка, слоев, кристаллического
Текст:
...стекло, сапфир, ситалл, керамика и другие, напыляют слой алюминия толщиной 0,1-2 мкм. Максимальная толщина слоя алюминия ограничена адгезией к материалу подложки и предельными механическими напряжениями. Минимальная толщина слоя алюминия выбирается исходя из необходимости либо полного преобразования металлического слоя в слой оксида цинка, либо частичного преобразования. Во втором случае непреобразованная часть слоя алюминия может служить в...