Кульгачев В. И.

Номер патента: 668

Опубликовано: 30.06.1995

Авторы: Лашицкий Э. К., Кульгачев В. И., Зеленин В. А., Сенько С. Ф., Пилипенко В. А., Ластовский С. Б.

МПК: H01L 21/265

Метки: пластинах, полупроводниковых, примесей, способ, лазерного, геттерирования

Текст:

...заполнения линиями скольжения(КЗЛС) рабочей стороны в используемых режимах генерирования (например при мощности лазерных лучей 80 Вт, шаге сканирования 200 мкм) достигает 0,З-О,4. Это означает, что ЗО-4 О площади рабочей поверхности пластины становится усеянной дислокациями с плотностью до 105 см 2 . При таком качестве рабочей поверхности получить годные приборы практически невозможно.В основу изобретения положена задача создания способа...