Способ изготовления низкопороговых КМДП-интегральных схем
Номер патента: 2335
Опубликовано: 30.09.1998
Авторы: Ершова Надежда Васильевна, Костенко Евгений Михайлович, Воронин Сергей Иванович
Текст
Ф. н 01 Ь- 21/82 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ комитет ссор по ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ и отнРьптш(54) сносов изготовлвнин ъшзнопогоговых нмцп-интвггддхьных сшм ИИзобретение относится к электронике. в частности. к изготовлению ЫмШчнггет-ральъшх схем. Целью изобретения является снижение трудоемкости создания.ЫдППинтегральнцх схем и иоьышение стабильности пороговых нап-ранений. На фиг.1 показан графин зависимости порогового напряжения транзисторов от толщины подзатворнсго скисла на фиг.2 графин зависимости порогового напряжении тран зисторов от величины поверхностной концентрации примеси. Пример. . В кремниевой подлодке п-типа с концентрациейпримеси 1 О 15 см 3 ионным внедрением бора дозой 2 мккл/смг с последующей разгонной при Т 12 О 0 С В течение 10 ч. области кармана с поверхностной концентрацией примеси 1 смЛлпзией или ионным легироьанием формируют областии на поверхности пластины окислением в сухом ЕС 1 при Т 100 ОС 0создают подзатворный окисел толщиной 400 А. Из графиков, поназанннх на фиг.1 и 2, видно, что при этом пороговые напряжения р-канального транзистора соспэплнт 0,7 В, пнанального транзистора 050 В. Затем наносят полпкремний И с помощью фотолито г графин формируют электродьтзатворов и первый уровень металли зации. Затем формируют межслоиннй диэлектрик и о помощью фотолитографии вскрывают отверстия к диффузионным ооластнм и металлизации первого уровня. Напнлением А 1 в вакууме с последдушщей фотолитографией создают верхний уровень металлизации.Способ изготовления нпзкопороговнж КМДП-интегральных схем, включающий формирование В полупроводниковой подложке одного типа проводимости карманов противоположного типа проводи Гмосты, областей истоков и стоков, подзатворного диэлектрика, затворов, областей каналов л- и р-типоьд проводимости и межсюедлнений, отличающийся тем, что. с целью упрощения способа,карманы формируют ион-ним легированием с дозой 0,640 текст/сызп разгонной 10-18 ч при температуре 1150-1200 С, а форшъирознание каналов п и р типов проводят одноврермерннс с формиро о ЬЗНИВМ подзатьорного диэлектрика телятиной 200-800 А .1972, и 15, 52 12, 13.1319. Авторское свидетельство СССР 15 854205, клд/ЙЗЕ/Зг, вид/бед деду Же дфдгшП Н И НГЧЩГ ПНИ ГГН ГПН ш
МПК / Метки
МПК: H01L 21/82
Метки: низкопороговых, изготовления, способ, кмдп-интегральных, схем
Код ссылки
<a href="https://by.patents.su/4-2335-sposob-izgotovleniya-nizkoporogovyh-kmdp-integralnyh-shem.html" rel="bookmark" title="База патентов Беларуси">Способ изготовления низкопороговых КМДП-интегральных схем</a>
Способ изготовления металлизации интегральных микросхем
Номер патента: 240
Опубликовано: 30.12.1994
Авторы: Мозалев А. М., Дударчик А. И., Захарчук А. С., Лабунов В. А., Сурганов В. Ф., Попов Ю. П., Ерема В. В., Михайлова Л. Н.
МПК: H01L 21/28
Метки: интегральных, способ, микросхем, изготовления, металлизации
Текст:
...масок из 130 НМ И 160 НМ ПРИ ПОМОЩИ Ф 0 Т 0 ЛИТ 0вспомогательной пленки ВМ и недопус- графин ФОПМИРОБЭЛИ МЗСКУ ИЗ Фоторетимое возрастание непланарности ме ЗИСТЭ На Участках контактных окон и таллизации Нижняя граница диапазона Га 3 хМЧеСК Удаляли ОТКРЫТЫЕ к предотвращает при плотном аноди 10 участки защитной пленки ВН. После ровании сквозное электрохимическое снятия ФОТОРЕЗИСТЭ ПРОБОДИПИ-СКВОЗНОВ прокисление защитной пленки ВМ. При...
Способ изготовления МДП-транзистора
Номер патента: 973
Опубликовано: 15.12.1995
Авторы: Смаль Игорь Вацлавович, Довнар Николай Александрович, Красницкий Василий Яковлевич
МПК: H01L 21/335
Метки: мдп-транзистора, способ, изготовления
Текст:
...примеси второго типа проводимости,создание сильнолегированньтх исток-стоковых областей отлил-ом внедрештой примеси, после внедрения в пластину по обе стороны от приставочных областей медленнодиффут-тдирующей примеси второго ттша проводимости, в пластину,в те же области внедряют быстродиффундирующую примесь того же тшта проводимости, и одновременно с созданием сильнолегированньпс исток-стоковых областей диффузией быстродиффундирующей...
Способ изготовления КМОП-структур
Номер патента: 235
Опубликовано: 30.12.1994
Авторы: Сидоренко Е. Б., Плащинский Г. И., Саньков И. В., Нагорный А. А.
МПК: H01L 21/336
Метки: кмоп-структур, способ, изготовления
Текст:
...ворах с последующей промывкой в деион 12 3 атвдра 7 ннзованной воде и сушкой подложкиП Р И Н В Р 1 После форМнроВа центрифугированием,.формровали поддня 5 накасдВмещенд прдйздодидир т затворный диэлектрик методом термихимнчесКУю обработку подложки после 20 екг Окисденин подложки ПРИ 1 О 00 бС довательно в перекисно-серпом и пе В течение 15 Мин В атмосфере ВдаЖ рекнснотамачном растворах с после- нгкНСлрда ТлщиНй 0512 МКМ- ПРИ дующей промышкой...
Способ изготовления печатной платы
Номер патента: 1033
Опубликовано: 14.03.1996
Автор: Скачек Анатолий Васильевич
МПК: H05K 3/28
Метки: изготовления, платы, печатной, способ
Текст:
...резко растет его вязкость, снижаются растеканиеи печатнр-технические свойства, ограничивающее бинарное ступенчатое фортблокнрующее покрытие не образуется, цель изобретения не достигается.П р и м е р . На заготовке 15 фольгированногостеклотекстолитафотот литографией формируют печатную схему, сверлят и металлизируют переходные отверстия, осаждают спой никеля, на никелированных проводниках и основе платы печатью селективно формируют маску из...
Способ изготовления штырей электрических соединителей
Номер патента: 1875
Опубликовано: 30.12.1997
Авторы: Пузанов Владимир Андреевич, Ненарокомов Александр Владимирович, Сергеев Николай Акимович
МПК: H01R 43/00, H01R 43/16
Метки: соединителей, изготовления, способ, электрических, штырей
Текст:
...низкому качеству самого контакта. Кроме того, покрытие проволоки имеет невысокую чистоту поверхности, может иметь поры и неравномерную толщину. Для устранения этого необходима дополнительная обработка проволоки (например, оплавление покрытия, состоящего из сплава олово-висмут в парах глицерина). Кроме того,поверхность проволоки при хранении окисляется, что ухудшает ее свойства, например, способность к пайке. Для улучшения качества поверхности...
Предыдущий патент: Распределительное устройство
Следующий патент: Способ изготовления горизонтальных р-п-р транзисторов для интегральных схем
Случайный патент: Устройство для общей светомагнитотерапии