Способ создания пассивирующего покрытия полупроводниковых структур

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМАТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИИ И ОТНРЫТИИ(72) П.В.Апанович С.А.Верниковскшд 1 ликатного стекла, оксхада тантала,и К.Ф.фазлеев - создании контактных окон в пленках(56) Патент Японии Н 51-37514, сначалатформируют в пленках оксида у кл 99 (5) (Н 01 Ъ 21/2306) , 1976. кремния и фосфорно-силикатного стекПатент Японии Н 48-31513, ла, затем на поверхности структуры кл. 99 (5) (Н 01 Ь 21/31) , 1973. формируют пленку тантала, в пленке у тантала формируют контактные окна,(54) СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЦАССИВИРУТОЩЕГО расположенные осесимметрично относиПОКРЫТИЯ ПОЛУГГРОВОДНИКОБЬШ СТРУКТУР тепьно окон в пленках оксида кремния(57) Изобретение относится к техно- и фосфорно-силтшатного стекле и имелогик цпанарно-эпитакснальньп кремни- ющие размеры, обеспечивающие их пе евых диодов, диодных матриц и интеграпы- рекрытие а шириной 3-14 мкм размераминых схем. Цепь изобретения состоит в окон в пленках оксида кремния и фос увеличении выхода годных за счет повы- форносшшкатного стекла, после чегошениа стабилизирующих свойств пассиви- .формнру 1 от пленку оксида тантала окис дующего покрытия идостигается при по пением тантала при 55012 С. 6 ил.следователъном формнрованну на по- 1 табл.Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых-прнборовв частносттцппанарнозпитаксиаль нык кремниевых диодов, диодных матриц и интегральны схем. ,5Целью изобретения является увеличение выхода годныш за счет повышения стабилизирующих свойств пассивирующего покрытия.На фиг.1 изображено поперечное сечение структуры с диффуэионныи областями и нанесенным слоем оксида кремния на фиг.2 то же после нанесения слоя фосфоросиликатного стекла на фиг.3 - то же после формирования контактных окон в слоях оксида кремнияътфосфорноснликатногостекла,на фиг.4 то же после нанесения тантала на фиг.5 - то же после создания контактных окон в слое танталад на фиг.6 то же после окиддния тантала. мНа фиг.1 б показаны монокристалч лическая подложка кремния п-типа проводимости 1, эпитаксиальный слой кремния п-типа проводимости 2 диффузионная область р-типа З пленка.оксида кремния 5102 4, пленка фосфорносиликатного стекла 5, пленка тантала 6, пленка оксида тантала Т 10 7.П р и м е р. На кремниевой подложке 1 (см фиг.1) с эпитаксиальньш слоем кремния 2 п-типа проводимости с удельным сопротивлением Р 10 О Мл ксм стандартны способом создают днффузионную область З ртипа н выращивается оксид кремния А толщиной 5 ООО 8 О 0 ОА. Затем создают пленку 5 фосфорносиликатного стекла с 0,5252-ньм содержанием Раб (см.фиг 2). Методом литографии вскрываются контактные окна (см.фиг.3) диаметром 160 мкм в системе оксид кремния фосфорно-силикатное стекло (310, ФСС). Нанесение пленки тантанала 6(см. фнг.4) толщиной 500-600 про ВОДЯТ МЕТОДОМ ППЗЗМЕННОГО РЗСПЪШЕННЯ.для формирования окон диаметром140 мкм, расположенны осесиетрично относительно окон, вскрыты в системе 5101 -ФСС (см. фиг.5). При этом ширина перекрытия д окон в системе БО 1-ФСС с окнами в пленке тантала составляет 1 О мкм, Пленка ок 55сида тантала 7 (см. фнг.Ь) формируЕТСЯ при ОКНСЛЕНИИ тантала В СРЕДЕ кислорода в течение 60-120 мннпри 55012 с.Результаты, полученные при измерении электрических характеристик изготовленнын образцов, сведены в таб ЕШЦУ пКак следует из приведенных даннын,с уменьшением величины перекрытия А меньше 6 мкм (пример 1) наблюдается нестабильность обратнын токов и снижение процента выхода годных до 862.Увеличение величины перекрытия Ь более 12 мкм (пример 5) приводит к уменьшению площади контакта и увеличение падения напряжения в прямом направлении до 1 В.Наименьшие И стабильные значения величин обратньш токов, наибольший процент выхода годныш получены при величине перекрытия А 8 мкм (см. пример 4 в таблице).Структуры, изготовленные по предЛЭГЗЕМОМУ СПОСОУ создания пассивирующего покрытия, в сравнении с известны способом имеют уровни обратны токов на 5-8 мкА ниже, процент высда на 10-122 выше.Ф о Р М у л а и з о б р е т е н и я Способ создания пассивирующего по крытия полупроводниковых структур,включающий последовательное формирование на и поверкности пленок окси да кремния, фосфорносилнкатного стекла, оксида тантала создание контактньш окон в пленках к активны областям полупроводниковым структур,о т л и ч а ю Щ н й с я тем, что, с целью увеличения вынода годныщ за счет повышения стабилизирующихсвойств пасснвирующего покрытия, контактные окна сначала формируют в пленках оксида кремния и фосфорно-силикатного стекла, после чего на поверхности структуры формируют пленку тантала,формируют в пленке тантала контактные окна с размерами, обеспечивающим перекрытие эти окон на ширину 31 д мкм с окнами, сформированнымив пленках оксида кремния и фосфорносиликатного стекла, затем формируют пленку оксида тантала.3 1319752 Прнеры Уровни Уровни д 1 д, мкА УровНнПд В Вьщод пере- 1 дмкА при Т 125 С при 1 р 10 О мА годньщ, ХПримечание Шд - ток диода при обратном смещении1 - ток диода в.прямом направленииь 1 д - уровень нестабильности тока при обратном смещении Пр - падение напряжения при прямом смещении.ьжч в 5 Ч тгг/1/1 лл кдсдж/дг/мд 5 2 - 4 1 Е Фиад шч АШ Б иииииичкгиппип данаиичгааэ 5Составитель Э.Фаттахов Корректор М.Шарош 3 аКаЗ 70 д/ДСП Тираж 449 Подписное ВНИИ Государственного комитета СССР по делам изобретений И открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб. д. 4/5