H01L 21/312 — из органических веществ, например слоев фоторезиста
Способ обратной литографии
Номер патента: 2428
Опубликовано: 30.09.1998
Авторы: Лыньков Леонид Михайлович, Жданович Сергей Вячеславович, Петров Николай Петрович, Прудник Александр Михайлович, Богуш Вадим Анатольевич
МПК: H01L 21/312
Метки: литографии, способ, обратной
Текст:
...вакуумной камере установки УВН-2 М-3 электронно-лучевым методом наносили пленку алюминия толщиной 1 мкм. На технологической линии Лада на пленку алюминия наносили слой резиста. С помощью стандартных методов вскрывали окна в слое алюминия. Затем методом газофазного окисления в смеси аргона, моносилана и кислорода при температуре 370 С осаждали рабочую пленку 2 толщиной 1,5 мкм. Затем на установке Изоприн структуру подвергали импульсной...