Патенты с меткой «кремнии»

Номер патента: 18059

Опубликовано: 30.04.2014

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: изготовления, способ, приборов, ядерно-легированном, кремнии, силовых, полупроводниковых, быстродействующих

Текст:

...Задачей изобретения является увеличение процента выхода годных приборов за счет лучшего соотношения частотных и статических характеристик. Способ изготовления силовых и быстродействующих полупроводниковых приборов на ядерно-легированном кремнии, при котором полностью сформированные приборные структуры с переходами и контактами перед посадкой в корпуса облучают при температуре 340-360 С в течение времени 5-10 мин до флюенса 21014-31014 см-2....

Номер патента: 15905

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Левченко Владимир Иванович, Барсукова Екатерина Леонидовна, Постнова Лариса Ивановна

МПК: C30B 23/06, C30B 29/48, G02B 1/10...

Метки: пленок, цинка, пористом, селенида, кремнии, выращивания, способ, эпитаксиальных

Текст:

...течение 1-2 часов при температуре 350-400 С. Новым в предложенном способе является то, что перед напылением пленок селенида цинка кремниевые подложки со слоем пористого кремния подвергают отжигу в вакууме в течение 1-2 часов при температуре 350-400 С. Сущность предложенного изобретения заключается в том, что предварительный отжиг в вакууме позволяет очистить поры в кремнии от адсорбированных газов и продуктов, образовавшихся в процессе...

Номер патента: 13719

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Гурин Павел Михайлович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, носителей, времени, кремнии, заряда, эпитаксиальном, способ, жизни, регулирования, приборах, неосновных

Текст:

...С для увеличения времени жизни и потом до флюенса 11016 см-2 при температурах от -150 до 150 С для снижения времени жизни, а интенсивность пучка электронов подбирают такой, чтобы время облучения не превышало 600 и 3000 с соответственно. Способ основан на радиационно-стимулированных процессах, протекающих в облученных эпитаксиальных структурах и приводящих к улучшению характеристик приборов на основе таких структур. Так, эффект малых доз,...

Номер патента: 13506

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Мурин Леонид Иванович, Медведева Ирина Федоровна

МПК: H01L 21/66, G01N 27/20

Метки: способ, концентрации, определения, водорода, атомов, примесных, кремнии

Текст:

...только в спектрах ИК поглощения 4), что делает данный центр непригодным для контроля содержания водорода в малых концентрациях. Комплекс является электрически активным центром с глубокими уровнями, однако вследствие возможного захвата второго атома водорода и трансформации данного центра в электрически неактивный комплекс 2 его концентрации могут сильно отличаться от концентрации водорода в образцах кремния. Для контроля содержания...

Номер патента: 12790

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Рева Ольга Владимировна, Кобец Анна Вячеславовна, Врублевская Ольга Николаевна, Воробьева Татьяна Николаевна

МПК: H01L 21/02, C23C 18/31

Метки: никель-фосфор, получения, кремнии, адгезионного, барьерного, слоя, способ

Текст:

...водой и су 4 12790 1 2010.02.28 шат обдувом теплым воздухом. Осаждение никеля происходит неравномерно, в виде пятен, после достижения толщины 0,07 мкм покрытие растрескивается и отслаивается. Пример 4. Кремниевую пластину последовательно обрабатывают в 20 -ном растворев течение 10-15 мин при 20 С, после тщательной промывки водой - в подкисленном растворе 2 состава 2 22 г/дм 3 (можно варьировать от 0,1 до 25 г/дм 3) и 10 см 3/дм 3 8-10...

Номер патента: 1700

Опубликовано: 30.09.1997

Авторы: Покотило Юрий Мефодьевич, Литвинов Валентин Вадимович, Уренев Валерий Иванович

МПК: G01N 21/35, H01L 21/66

Метки: концентрации, кремнии, определения, свободных, заряда, носителей, способ

Текст:

...р-типа (1) с удельным сопротивлением р 0,3 и 12 Ом.см и -типа (р 1 и 4,4 Ом.см) (2) от длины волны. На фиг.2 изображены профили распределения концентрации свободных носителей заряда вдоль оси роста слитков кремния типа КДБ-12 диаметром 100 (1) и 150 (2) мм. Для реализации неразрушающего метода определения концентрации свободных носителей заряда в предлагаемом способе измеряют отношение коэффициентов пропускания Т 1/Т 2 двух пучков...