H01L 27/04 — с подложкой из полупроводника
Способ изготовления кремниевой интегральной микросхемы
Номер патента: 18136
Опубликовано: 30.04.2014
Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Ефименко Сергей Афанасьевич, Малый Игорь Васильевич, Шикуло Владимир Евгеньевич
МПК: H01L 27/04, H01L 21/77
Метки: изготовления, кремниевой, интегральной, микросхемы, способ
Текст:
...при низкой температуре (450 С). Для достижения требуемого результата отжиг может повторяться несколько раз, что приводит к увеличению цикла изготовления интегральной микросхемы. 3 18136 1 2014.04.30 В основу изобретения положено решение задачи повышения коэффициента усиления горизонтального транзистора на малых токах, повышения стабильности электрических параметров и увеличения процента выхода годных микросхем. Сущность изобретения заключается...
Многоколлекторный инжекционный вентиль
Номер патента: 2338
Опубликовано: 30.09.1998
Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Ким Владимир Анатольевич, Долгий Николай Андреевич
МПК: H01L 27/04
Метки: вентиль, многоколлекторный, инжекционный
Текст:
...Естест ванне, что скорость процесса Расса сывания определяется величиной базот вого тока и условиями его подвода К областям накопленного заряда.Орнентапя коллекторнк Областей в соответствии с Указанной является прннниально важным моментом для достиения цели. Это объясняется тем, что длина, а соответственно и сопротивление участков пассивной азы между коллекторной н нзопИРУ-определяетсядлиной стороны прямо УГОЛЬНОГО КОЛЛЕКТОРЗ,...
Интегральная схема
Номер патента: 1037
Опубликовано: 14.03.1996
Авторы: Чернуха Б. М., Силин А. В., Белоус А. И.
МПК: H01L 27/04
Метки: интегральная, схема
Текст:
...первой области 8 второго типа проводимости, она является коллектором, собирающим носители при инжекции первой области 9 второго типа проводимости,исключающим ее взаимодействие с другими областями второго типа проводимости В схеме.Поскольку на первую область 8 второго типа проводимости в рабочем режиме интегральной схемы подается положительное напряжение, а второй скрытый слой 11 второго типа проводимости заземлен, между ними возникает канал...