Уренев Валерий Иванович

Способ определения концентрации свободных носителей заряда в кремнии

Загрузка...

Номер патента: 1700

Опубликовано: 30.09.1997

Авторы: Уренев Валерий Иванович, Покотило Юрий Мефодьевич, Литвинов Валентин Вадимович

МПК: G01N 21/35, H01L 21/66

Метки: носителей, кремнии, концентрации, способ, определения, заряда, свободных

Текст:

...р-типа (1) с удельным сопротивлением р 0,3 и 12 Ом.см и -типа (р 1 и 4,4 Ом.см) (2) от длины волны. На фиг.2 изображены профили распределения концентрации свободных носителей заряда вдоль оси роста слитков кремния типа КДБ-12 диаметром 100 (1) и 150 (2) мм. Для реализации неразрушающего метода определения концентрации свободных носителей заряда в предлагаемом способе измеряют отношение коэффициентов пропускания Т 1/Т 2 двух пучков...

Способ изготовления германиевых термосопротивлений для измерения низких температур

Загрузка...

Номер патента: 1432

Опубликовано: 16.12.1996

Авторы: Уренев Валерий Иванович, Ермолаев Олег Павлович

МПК: H01L 21/263, G01K 7/22

Метки: способ, температур, низких, изготовления, измерения, термосопротивлений, германиевых

Текст:

...эВ) с кристаллической решеткой германия приводит к образованию термически стабильного электрически активного радиационного дефекта с энергетическши уровнем атщепторното типа ЕуОО 16 эВ. В нелетирванном химическими примесями кристалле германия его температурная зависимость сопротивления определяется только электронными переходами между валентнойзоной и уровнем Еу 0 О 16 эВ. Меньшее значение ббысгр, нейтронов по сравнению с стенд нейтронов...