H01L 21/324 — термическая обработка для модификации характеристик полупроводниковых подложек, например отжиг или спекание
Способ создания металлизации полупроводниковых приборов и интегральных схем
Номер патента: 2823
Опубликовано: 30.06.1999
Авторы: Чигирь Григорий Григорьевич, Пономарь Владимир Николаевич, Пилипенко Владимир Александрович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: H01L 21/324
Метки: способ, интегральных, создания, металлизации, схем, приборов, полупроводниковых
Текст:
...поверхности плнок алюминия после таких термообработок является практически отсутствие бугров и плнки остаются стабильными по структуре при проведении последующих операций фотолитографии высота бугров на плнках алюминия, измеренная на растровом электронном микроскопе после термообработки в предлагаемых режимах, проведения операций плазмохимического травления алюминия и удаление фоторезистора не превышает 0,10-0,15 мкм высота бугров на...