Оджаев Владимир Борисович

Номер патента: 18107

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Челядинский Алексей Романович, Турцевич Аркадий Степанович, Оджаев Владимир Борисович, Садовский Павел Кириллович, Плебанович Владимир Иванович, Белоус Анатолий Иванович, Васильев Юрий Борисович

МПК: H01L 21/322

Метки: геттерного, слоя, пластине, способ, кремния, формирования

Текст:

...транзистора от тока коллектора. Для формирования геттерного слоя пластины кремния -типа с удельным сопротивлением 10 Омсм имплантировались в нерабочую сторону ионамис энергией 60 кэВ и дозой 21015 см-2. После имплантации проводилась термообработка при температуре 850 С в течение 30 мин для электрической активации внедренной примеси. Измерения показали,что степень электрической активации сурьмы после отжига составила 21(слоевая...

Номер патента: 15041

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Сидоренко Юлия Владимировна, Горбачук Николай Иванович, Оджаев Владимир Борисович, Ивановская Мария Ивановна, Лукашевич Михаил Григорьевич, Котиков Дмитрий Анатольевич

МПК: G01N 27/02

Метки: способ, окружающей, среды, определения, влажности

Текст:

...характеристика датчика влажности, представляющего собой аморфную пленку диоксида кремния с открытой пористостью, в порах которой находятся кластеры -23, а на фиг. 2 - градуировочный график зависимости суммы сопротивлений датчика, измеренных при напряжении, меньшем и большем критического, от влажности. Такой датчик имеет вольтамперную характеристику сверхлинейного вида и отрицательный температурный коэффициент сопротивления при...

Номер патента: 2259

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Карпович Игорь Александрович, Козлов Иван Петрович, Азарко Игорь Иосифович, Оджаев Владимир Борисович, Свиридов Дмитрий Вадимович

МПК: H01L 29/51

Метки: тонкопленочный, переключатель

Текст:

...При дальнейшем увеличении энергии ионов происходит заглубление проводящего углеродного слоя внутрь полимера, и он оказывается отделенным от поверхности пористым диэлектрическим слоем. Проводимость имплантированного канала также зависит от типа материала и определяется процентной концентрацией углерода в модифицированном слое полимера. Так, например, установленная методомконцентрация углерода в поврежденном слое, толщина которого...