Зеленин В. А.
Способ лазерного геттерирования примесей в полупроводниковых пластинах
Номер патента: 668
Опубликовано: 30.06.1995
Авторы: Ластовский С. Б., Лашицкий Э. К., Сенько С. Ф., Пилипенко В. А., Кульгачев В. И., Зеленин В. А.
МПК: H01L 21/265
Метки: геттерирования, пластинах, полупроводниковых, лазерного, способ, примесей
Текст:
...заполнения линиями скольжения(КЗЛС) рабочей стороны в используемых режимах генерирования (например при мощности лазерных лучей 80 Вт, шаге сканирования 200 мкм) достигает 0,З-О,4. Это означает, что ЗО-4 О площади рабочей поверхности пластины становится усеянной дислокациями с плотностью до 105 см 2 . При таком качестве рабочей поверхности получить годные приборы практически невозможно.В основу изобретения положена задача создания способа...