Горовой Владимир Владимирович

Номер патента: 2096

Опубликовано: 30.03.1998

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Горовой Владимир Владимирович, Попов Юрий Петрович, Силин Анатолий Васильевич

МПК: H03K 19/088

Метки: устройство, согласования

Текст:

...диод 15, вкпюченны 45 в направлен к входу 2 устройства. Устройство согласования работает.-Пусть в исходном состоянии на вкод 2 устройства поданннэкий уровень напряжения и устройство находится в зад крытом состоянии. При подаче на вход 2 напряжения высокого уровня величи на напряжения набазе транзистора 1(3 итторе транзистора 12) и базе транзистора 12 повьшается и по достижении величин, равной 21 Е, начинается процесс их одновременногоотпира...

Номер патента: 2094

Опубликовано: 30.03.1998

Авторы: Силин Анатолий Васильевич, Медведев Виктор Иванович, Горовой Владимир Владимирович

МПК: H03K 19/088

Метки: логическое, устройство

Текст:

...трлн истор 9 закрыт. На входе 10 ЭПеМеэ, плмяти истаива30, ливается высокий уровень Напряжения,транзистор 18 при этом токе закрыт, а через диод 20 в базу транзистора14 протекает ток, определяемый резистором 7 и обеспечивающн открытое состояние транзистора 1 д на коллекторе которого устанавливается низкий уровень напряжения, Попадаюши на вход 15 элемента памяти 11.При подаче на вход 3 высокого уровня напряжения П, 2,4 В на базе транзистора 6...

Номер патента: 2093

Опубликовано: 30.03.1998

Авторы: Горовой Владимир Владимирович, Силин Анатолий Васильевич, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H03K 3/286

Метки: rs-триггер

Текст:

...17, можно обеспечить требуемую высокую НЕТРУаочную способность триггера, не изменяя мощности потребления и нагрузочной способности собственно бистабильной ячейки хранения на транзисторахПри переходе триггера в режим хранения и подаче на вход 13 высокого уровнянапрядения диод 11 закрывается и ток, протекающий через резисторы 7 и 20, попадает в базу транзистора 8 через открытый транзистор А,напряжение на коллекторе которогок 4 кэнч Пвэз...

Номер патента: 2092

Опубликовано: 30.03.1998

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Силин Анатолий Васильевич, Горовой Владимир Владимирович

МПК: H01L 27/08

Метки: интегральная, схема

Текст:

...аналогично известному решению резистором 4 и уменьшается до значения 7Чае - прямое падение напряжения перехода база-эмиттер транзистора 1.Таки образом, при подаче на управляющий вход 3 генератора 2 тока высокого уровня сигнала на его выходе 7 появляется имульс тока повышенной величинывтехающий в базы переклчатепьиого транзистора 1 и обеспе чиваюци его форсированое отпираниеи уменьшение времени задержки вклш-2 чения. При подаче на вход 3...

Номер патента: 1916

Опубликовано: 30.12.1997

Авторы: Силин Анатолий Васильевич, Чернуха Борис Николаевич, Белоус Анатолий Иванович, Горовой Владимир Владимирович

МПК: H03K 3/286

Метки: устройство, памяти

Текст:

...транзисторов 5, 8, диодов 21, 22, входов 6, 9, начинают разряжаться через резисторы 10 и 7. Однако, поскольку транзистор 11 открыт, паразитная емкость в коллекторе транзистора 8 разряжается через резистор 10, диод 13, транзистор 11,диод 17, что обуславливает при этом закрытое состояние транзистора 5. Закрытый транзистор 12 приодит к тому, что емкость в коллекторе транзистора 5 разряжается через переход базаэмиттер транзистора 8 и откры...