Апанович Леонтий Васильевич

Номер патента: 1676

Опубликовано: 30.06.1997

Авторы: Апанович Леонтий Васильевич, Фазлеев Ким Фахруллович, Верниковский Станислав Антонович

МПК: H01L 21/314

Метки: структур, покрытия, полупроводниковых, пассивирующего, способ, создания

Текст:

...5 ООО 8 О 0 ОА. Затем создают пленку 5 фосфорносиликатного стекла с 0,5252-ньм содержанием Раб (см.фиг 2). Методом литографии вскрываются контактные окна (см.фиг.3) диаметром 160 мкм в системе оксид кремния фосфорно-силикатное стекло (310, ФСС). Нанесение пленки тантанала 6(см. фнг.4) толщиной 500-600 про ВОДЯТ МЕТОДОМ ППЗЗМЕННОГО РЗСПЪШЕННЯ.для формирования окон диаметром140 мкм, расположенны осесиетрично относительно окон, вскрыты в системе...

Номер патента: 1032

Опубликовано: 14.03.1996

Автор: Апанович Леонтий Васильевич

МПК: C23F 1/26

Метки: тантала, раствор, травления

Текст:

...схем.Целью изобретения является улучшеПосле нанесении пленки тантала накремниевую подложку в установке вакуумного напыления плазменным распылением ее извлекают из установки. и на ппенкутантала наносят фоторезис-т. вскрывают контактные окна в нем. затем высушивают. В результате на поверхности пленки тантала в скрытых контактных окнах образуется тонкий слой оксида тантала.Известный раствор, содержащий фтористоводородную кислоту в смеси с...