Патенты с меткой «горизонтальных»
Устройство для дуговой сварки горизонтальных стыковых соединений арматурных стержней
Номер патента: 17404
Опубликовано: 30.08.2013
Авторы: Писарев Владимир Александрович, Пантелеенко Федор Иванович, Нестеров Владимир Григорьевич, Окунь Григорий Исакович
МПК: B23K 9/00
Метки: сварки, горизонтальных, стыковых, устройство, соединений, стержней, дуговой, арматурных
Текст:
...задача изобретения - повысить качество и надежность сварного соединения,обеспечить возможность выполнения сварки в условиях воздействия ветровых нагрузок. Поставленная техническая задача решается тем, что устройство для дуговой сварки горизонтального стыкового соединения арматурных стержней, содержащее медную желобчатую скобу-подкладку и медные вкладыши-ограничители плавильного пространства, у которых внутри каждого вкладыша-ограничителя...
Устройство для устранения горизонтальных деформаций зубных рядов
Номер патента: 7660
Опубликовано: 30.12.2005
Автор: Гатальский Виктор Викторович
МПК: A61C 7/00
Метки: горизонтальных, рядов, устранения, зубных, устройство, деформаций
Текст:
...расширение диапазона корректировки величины сил действия силового элемента и направления его действия, повышение удобства пользования, исключение травмирования прилегающих тканей. Задача решается тем, что в устройстве, содержащем опорные элементы для установки на опорный и наклонные зубы, связанные между собой посредством силового проволочного элемента в виде пружины, силовой элемент выполнен в средней части с зигзагообразными изгибами, а...
Способ изготовления горизонтальных р-п-р транзисторов для интегральных схем
Номер патента: 2336
Опубликовано: 30.09.1998
Авторы: Чаусов Виктор Николаевич, Сасновский Владимир Арестархович, Гайдук Сергей Иванович, Балбуцкий Сергей Васильевич
МПК: H01L 21/265
Метки: горизонтальных, способ, схем, изготовления, транзисторов, р-п-р, интегральных
Текст:
...и пленки двуокиси кремния СУМР ной толщиойсО 3 мкм. Методом ФОТОлитографии и травления пленки и слоя двуокиси кремния вскрыаются контактные отверстия к областям итеГР 8 ПЬ Ной схемы. Методом фотолитографии формируютфотореэнстнвную маску С Отверстием над областью контакта К КОЛ лектору прптранэистора. СЛУЖЗЩЕГО одновременно контактом к базовой Об 50ппантацией ионов фосфора с ЗНЕРГНЭЙ 30 кэВ и поверхностной концентрациейконтакта области базы...