Пилипенко Владимир Александрович
Способ создания окисной пленки на поверхности полупроводниковой либо металлической подложки
Номер патента: 14296
Опубликовано: 30.04.2011
Авторы: Пилипенко Владимир Александрович, Петлицкая Татьяна Владимировна, Жорник Виктор Иванович, Витязь Петр Александрович, Ковалева Светлана Анатольевна
МПК: C25D 11/02, B82B 3/00
Метки: поверхности, способ, окисной, подложки, создания, полупроводниковой, металлической, либо, пленки
Текст:
...например монокристаллического кремния, эпитаксиальные пленки кремния, а также поликристаллический кремний, алюминий и др. Сущность изобретения поясняется прилагаемыми фигурами. Фиг. 1 - блок-схема для реализации предлагаемого способа на основе атомно-силового микроскопа (АСМ). Фиг. 2 - АСМ 3 - изображение топографии поверхности монокристаллического кремния КДБ-12 (111) с локальной окисной пленкой, полученной после первого этапа сканирования...
Способ создания металлизации полупроводниковых приборов и интегральных схем
Номер патента: 2823
Опубликовано: 30.06.1999
Авторы: Пономарь Владимир Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич, Пилипенко Владимир Александрович, Чигирь Григорий Григорьевич
МПК: H01L 21/324
Метки: способ, полупроводниковых, создания, металлизации, приборов, схем, интегральных
Текст:
...поверхности плнок алюминия после таких термообработок является практически отсутствие бугров и плнки остаются стабильными по структуре при проведении последующих операций фотолитографии высота бугров на плнках алюминия, измеренная на растровом электронном микроскопе после термообработки в предлагаемых режимах, проведения операций плазмохимического травления алюминия и удаление фоторезистора не превышает 0,10-0,15 мкм высота бугров на...