H01L 23/053 — имеющие полую конструкцию и изоляционное основание, являющееся креплением для полупроводниковой подложки
Интегральная схема
Номер патента: 2817
Опубликовано: 30.06.1999
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Кавриго Николай Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Силин Анатолий Васильевич, Пономарь Владимир Николаевич
МПК: H01L 23/053
Метки: интегральная, схема
Текст:
...Коэффициент теплового расширения материала прокладки 7 превышает коэффициент теплового расширения кристалла 3 не более, чем на 20 . Прокладка 7 (фиг. 2) выполнена в форме прямоугольной пластины, и содержит сквозные отверстия 8 переменного сечения, расположенные большим сечением в сторону основания 1, центры которых отстоят друг от друга на расстоянии а (фиг. 2) вдоль сторон прокладки, где а 1,0-1,2 мм,2 диаметр большего сечения отверстия 8...