Смаль Игорь Вацлавович
Накопительный конденсатор элемента памяти интегральных схем
Номер патента: 2639
Опубликовано: 30.03.1999
Авторы: Довнар Николай Александрович, Цыбулько Игорь Александрович, Красницкий Василий Яковлевич, Турцевич Аркадий Степанович, Смаль Игорь Вацлавович
МПК: H01L 29/92, H01L 27/10
Метки: интегральных, конденсатор, накопительный, памяти, схем, элемента
Текст:
...3, разделительную область 4 из диэлектрического материала повторяющую рельеф первой обкладки, вторую обкладку 5 из легированного поликремния, нижняя поверхность которой повторяет рельеф первой. Работа накопительного конденсатора идентична работе типового однотранзисторного элемента памяти динамического запоминающего устройства. В техническом решении по изобретению получается канавка с несколькими проводящими перегородками, что позволяет не...
Способ изготовления МДП-транзистора
Номер патента: 973
Опубликовано: 15.12.1995
Авторы: Довнар Николай Александрович, Красницкий Василий Яковлевич, Смаль Игорь Вацлавович
МПК: H01L 21/335
Метки: способ, мдп-транзистора, изготовления
Текст:
...примеси второго типа проводимости,создание сильнолегированньтх исток-стоковых областей отлил-ом внедрештой примеси, после внедрения в пластину по обе стороны от приставочных областей медленнодиффут-тдирующей примеси второго ттша проводимости, в пластину,в те же области внедряют быстродиффундирующую примесь того же тшта проводимости, и одновременно с созданием сильнолегированньпс исток-стоковых областей диффузией быстродиффундирующей...