Сасновский Владимир Арестархович

Номер патента: 2336

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Балбуцкий Сергей Васильевич, Сасновский Владимир Арестархович, Гайдук Сергей Иванович, Чаусов Виктор Николаевич

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, схем, р-п-р, горизонтальных, способ, транзисторов, изготовления

Текст:

...и пленки двуокиси кремния СУМР ной толщиойсО 3 мкм. Методом ФОТОлитографии и травления пленки и слоя двуокиси кремния вскрыаются контактные отверстия к областям итеГР 8 ПЬ Ной схемы. Методом фотолитографии формируютфотореэнстнвную маску С Отверстием над областью контакта К КОЛ лектору прптранэистора. СЛУЖЗЩЕГО одновременно контактом к базовой Об 50ппантацией ионов фосфора с ЗНЕРГНЭЙ 30 кэВ и поверхностной концентрациейконтакта области базы...

Номер патента: 1612

Опубликовано: 30.03.1997

Авторы: Сасновский Владимир Арестархович, Кабаков Михаил Михайлович, Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич, Макаревич Игорь Иванович, Буляк Борис Николаевич, Тихонов Владимир Ильич

МПК: H01L 21/316

Метки: стекла, способ, фосфоросиликатного, получения, пленок

Текст:

...легирования пленки фосфором по пластине и по загрузке и предотвращает образование в газовой фазе не только частиц 2, но и Н 2 О 4, Р 25, Р 23, что обеспечивает преимущественное образование Р 25 уже непосредственно на подложке без осаждения на нее частиц Р 25, Р 23 из газовой фазы, приводящего к локальным неоднородностям легирования пленки фосфором. Выбор отношения объемных потоков 3/4 и объемного потока аммиака сделан на основе...