C23C 14/28 — с использованием волновой энергии или облучения частицами
Способ получения тонких пленок для конденсаторных структур
Номер патента: 18396
Опубликовано: 30.08.2014
Авторы: Каланда Николай Александрович, Гурский Леонид Ильич, Голосов Дмитрий Анатольевич, Завадский Сергей Михайлович
МПК: H01G 7/06, C23C 14/28, C23C 14/08...
Метки: тонких, конденсаторных, структур, пленок, получения, способ
Текст:
...контроля над процессом получения однородных и однофазных пленок 0,540,463 для улучшения их сегнетоэлектрических и структурных ха 2 18396 1 2014.08.30 рактеристик, оптимизация режимов напыления тонких пленок цирконата титаната свинца с целью получения их воспроизводимых физико-химических свойств. Поставленная задача решается за счет того, что при получении тонкой пленки цирконата титаната свинца первоначально изготавливают мишень, а затем...
Технологическая оснастка для установки ионно-лучевой обработки деталей
Номер патента: U 9112
Опубликовано: 30.04.2013
Авторы: Биленко Эдуард Григорьевич, Карпович Анна Николаевна, Колесникова Алла Алексеевна, Белый Алексей Владимирович
МПК: C23C 14/28
Метки: ионно-лучевой, установки, технологическая, деталей, обработки, оснастка
Текст:
...которого смонтирована в опорных направляющих, смонтированных соответственно на двух нижних опорах, при этом вертикальный формирующий держатель деталей закреплен непосредственно на зубчатой рейке, а верхняя направляющая держателя деталей кинематически через позиционирующий ролик связана с верхней опорой формирующего держателя деталей. Технический результат объекта промышленной собственности реализован путем универсализации и применения...
Установка для вакуумной обработки деталей
Номер патента: U 9116
Опубликовано: 30.04.2013
Авторы: Колесникова Алла Алексеевна, Биленко Эдуард Григорьевич, Карпович Анна Николаевна, Белый Алексей Владимирович
МПК: C23C 14/28
Метки: вакуумной, обработки, установка, деталей
Текст:
...для свертки конусообразной обечайки. Установка для вакуумной обработки по фиг. 1, 2 деталей, изделий и заготовок содержит вакуумную камеру 1, внутри которой размещены ионно-лучевой источник 2, источник нагрева 3 и поворотный держатель деталей 4. Поворотный держатель деталей 4 выполнен в виде барабана, образованного верхним и нижним кольцевыми контурами 5, 6. Наружная обечайка барабана имеет форму беличьей клетки. Обечайка образована...
Способ формирования на подложке тонкой алмазоподобной пленки посредством вакуумной лазерной абляции
Номер патента: 16615
Опубликовано: 30.12.2012
Авторы: Петров Сергей Александрович, Шаронов Геннадий Викторович
МПК: C23C 14/28
Метки: абляции, пленки, посредством, лазерной, алмазоподобной, вакуумной, подложке, способ, формирования, тонкой
Текст:
...осуществлялось с использованием регулируемой оптической линии задержки, состоящей из 4 зеркал (фигура,, - интенсивность лазерного излучения,- длительность первого лазерного импульса по уровню 0,1,- время задержки второго импульса). Первый лазерный импульс, падающий на графит, расходует свою энергию на его разогрев и испарение. Энергия второго импульса служит источником доионизации лазерно-эрозионной плазмы и повышения температуры и...
Установка для получения алмазоподобных пленок
Номер патента: U 2326
Опубликовано: 30.12.2005
Авторы: Шалупаев Сергей Викентьевич, Шершнев Алексей Евгеньевич, Морозов Владимир Петрович
МПК: C23C 14/28
Метки: пленок, алмазоподобных, установка, получения
Текст:
...Достижение указанного технического результата обеспечивается тем, что в установке для нанесения алмазоподобных пленок, содержащей лазер, формирующий объектив, ва 2 23262005.12.30 куумную камеру и расположенные внутри нее ионно-лучевой источник, держатель мишени и держатель подложки, на которую осаждается испаряемый материал мишени, ионнолучевой источник и держатель мишени последовательно установлены на оптической оси установки по...
Установка для получения алмазоподобных пленок
Номер патента: U 1980
Опубликовано: 30.06.2005
Авторы: Морозов Владимир Петрович, Никитюк Юрий Валерьевич, Шершнев Алексей Евгеньевич, Шалупаев Сергей Викентьевич
МПК: C23C 14/28
Метки: получения, алмазоподобных, установка, пленок
Текст:
...временное распределение интенсивности в пичках импульсов, что способствует повышению однородности состава плазмы эрозионного факела и приводит к значительному уменьшению попадания крупных осколков материала мишени на подложку. Выполнение формирующего объектива в виде оптической системы для формирования лазерного пучка в пучок кольцевого сечения приводит к существенному увеличению как телесного угла разлета продуктов испарения, так и вь 1...
Способ получения алмазоподобных углеродных пленок
Номер патента: 6030
Опубликовано: 30.03.2004
Авторы: Федосенко Николай Николаевич, Никитюк Юрий Валерьевич, Шалупаев Сергей Викентьевич, Шершнев Евгений Борисович, Старовойтов Александр Семенович, Зайцев Валентин Алексеевич, Шолох Владимир Федорович
МПК: C23C 14/28
Метки: углеродных, способ, пленок, алмазоподобных, получения
Текст:
...перенасыщения, необходимые для эффективного формирования пленки. Структура и время существования термолизованной области, а также энергетическое распределение испаренных частиц мишени, из которых состоит эрозионный факел, напрямую зависят от параметров лазерного излучения профиля импульса, плотности мощности энергии в импульсе, длительности импульса. При воздействии на мишень импульсом лазерного излучения состав эрозионного факела...
Способ получения антимикробного материала, тонкозернистый антимикробный материал и способ его получения
Номер патента: 5421
Опубликовано: 30.09.2003
Авторы: Садхиндра Бхарат САНТ, Роберт Эдвард БАРРЕЛЛ, Родерик Джон ПРИХТ, Прасад Шрикришна АПТЕ, Катрин Лаури МАКИНТОШ, Кашмир Сингх ДЖИЛЛ, Лэрри Рой МОРРИС
МПК: C23C 14/14, A61L 31/08, A01N 59/16...
Метки: получения, тонкозернистый, антимикробного, антимикробный, материал, способ, материала
Текст:
...по п. 21, отличающийся тем, что величина отношения температуры его рекристаллизации к температуре его плавления, в градусах Кельвина (Т рек./Т пп.), составляет менее 0,3.23. Материал по п. 21, отличающийся тем, что имеет температуру рекристаллизации менее 140 С.24. Материал по п. 23, отличающийся тем, что имеет размер частиц менее 200 нм.25. Материал по п. 23, отличающийся тем, что имеет размер частиц менее 140 нм.26. Материал по п. 23,...
Установка для получения алмазоподобных пленок
Номер патента: U 323
Опубликовано: 30.09.2001
Авторы: Федосенко Николай Николаевич, Шершнев Евгений Борисович, Зайцев Валентин Алексеевич, Никитюк Юрий Валерьевич, Морозов Владимир Петрович, Шалупаев Сергей Викентьевич, Старовойтов Александр Семенович
МПК: C23C 14/28
Метки: алмазоподобных, пленок, установка, получения
Текст:
...эффекта являются повышение качества получаемых покрытий и надежности работы установки, рост ее производительности за счет сокращения времени простоя и наладки. Достижение указанного технического результата обеспечивается тем, что установка для нанесения алмазоподобных пленок, содержащая рабочий лазер, формирующий объектив, вакуумную камеру и расположенные внутри нее держатели с мишенью и подложкой, на которую осаждается испаряемый материал...
Способ получения алмазоподобной пленки
Номер патента: 2936
Опубликовано: 30.09.1999
Авторы: Федосенко Николай Николаевич, Федосенко Геннадий Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич, Ширипов Владимир Яковлевич
МПК: C30B 23/02, C30B 29/04, C23C 14/28...
Метки: способ, получения, пленки, алмазоподобной
Текст:
...на фиг. 1 - вакуумная установка для нанесения алмазоподобной пленки лазерным способом фиг. 2 - спектр электронного парамагнитного резонанса алмазоподобной пленки, полученной заявляемым способом фиг. 3 - спектр комбинационного рассеяния света алмазоподобной пленки, полученной заявляемым способом фиг. 4 - спектр комбинационного рассеяния аморфной графитоподобной пленки фиг. 5 - спектр комбинационного рассеяния аморфной углеродной пленки....
Способ получения электропроводящего прозрачного покрытия из оксида индия
Номер патента: 960
Опубликовано: 15.12.1995
Авторы: Федосенко Николай Николаевич, Шершнев Евгений Борисович, Танасейчук Алексей Станиславович
МПК: C23C 14/28, C23C 14/08
Метки: оксида, способ, электропроводящего, индия, получения, прозрачного, покрытия
Текст:
...и значительно снижают величину удельного сопротивления.При оптимальных технологических режимах напыления величина светопропускания превышает 93.Ионизация кислорода и азота необходима при осуществлении предлагаемого способа. Она позволяет использовать привзаимодействии атомарный кислород и азот, что химически более оправдано, чем использование молекулярных компонентов газовой смеси. Плазма разряда эффективно стимулирует...
Способ получения пленок металлооксидных высокотемпературных сверхпроводников
Номер патента: 358
Опубликовано: 30.03.1995
Авторы: Свиридович Олег Григорьевич, Рубан Геннадий Иосифович, Точицкий Эдуард Иванович
МПК: C23C 14/28
Метки: получения, сверхпроводников, металлооксидных, высокотемпературных, пленок, способ
Текст:
...на атомах вподложке. я двухступенчатый напуск кислорода впленки необходимдля обеспечения 1) фа- .зового перехода тетрагональной структуры в орторомбическую и 2) насыщения этой фазы кислородом до оптимальной величины т с определеннымсодержанием и упорядочением -в кислородной подсистеме- ортором бической фазы. При давлении-г кислородаболее 133 па и менее 40 Па на первом этапепленки при этому наблюдается также нео днородность состава пленки...