1H, 11H-2,4-Диоксо-3-фенил-пиримидо-[4,5-b] [1,5]-бензодиазепин в качестве маскирующего материала для микролитографии

/ 1 Н,11 Н-24 ДиоксоЗфенилпринццо-4,5 Ь 1,516 ензодиазепиш в качестве маскирующего материала для минролтографимк-торое можт быть использовено в кацестве маскирующего материала в микролитографии.Многочисленные производные бензодиазепиновнаходят применение в качестве лекарственных препаратов широкого спектра дейотвин или исходных соединений для их подгчения В частности стопктурныеньп еамеотитепми проявляют евтиднвбетическую 11 а. вгкто 2.3 и оооудораширвюшую 43 активность, используются как автигипертенаивные Б, протпвоэпплептпчеоние 63 И противояввенные 3 препараты- Однако щх.првввнение в качестве маокируюшмх понры тип для процессов микролитографии в пьтературе не описано.Известно 8 использование в качестве термонапылнемого материала для вакуумной фотолитографии 8-арил-7,В-дигидро-9 Н-оенаоГ 3 индено 2,1-схинолин-9-онов (прототип), маски из которых позволяют достигать селективности 3,5-4,2 в процессе плазмохимического травления (ПХТ) монокристаллического кремния гексафторидом серы.Недостатком вышеуказанного соединении (прототипа) являются не очень высокие значении селективности в процессе ПХТ и образование при испарении угольного остатиа до В , что влинет на качество получаемых пленок.Задачей изобретения нвлнетсн синтез нового производного 15-оензодиавепина, обладающего иныи свойствами, чем известные структурнне аналоги.Поставленнаязадачдостигаетсн синтезом производного 15-оенводиавепина а именно 1 Н 11 Н-Е,4-диоксо-3-фенил-пиримидо-45-Ь 1,5 бензодиазепина формулы 1.Оинтез соединении 1 осуществляют по известному способу Е 9. Нижеследующий пример иллюстрирует получение нового соединения.В круглодонную тригорлую колбу на 0,25 л, снабжнную мешалкойи обратны холодильником, помещают 4,38 г (0,015 моль) З-фенил-6(1-пиримидинио)-5-формилурацил-2-олята 12 г (0015 моль) о-фенилендиамина и 150 мл уксусной кислоты Смесь при перемешиваниидоводят до кипении и кипнтнт в течение 20-30 мин. оиландают до ко мнатной температуры. Образовавшийся осадок отфилЬтровывают промы вают метанолом и сушат при 60 50. Выход 3,24 г (72 Ж). Соединение 1 представляет собой порошок кораллового цвета с температурой плавления 349-350 50. Найдено, Х С 66,94 Н 4,08 М 18,29. Бруттоформула 017 Н 12 Ы 403. Молекулярная масса З 0 аЗ 0. Вычислено, 1 С1372 СС 1535 СЫ 1565 СО 1695 -НС ЗОЗ 5 СНарФм 3062 Ф ЬЫ-Н 3285. УФспентр (пленки) итал, нм 260, 356, 446. При термическом вакуумном испаренииглянцевые пленки с орошеь адгезией н полупроводниковым, стенлнн Нин, полимерным и нетащличесиим подлоннам. Толщина пленки еанисит от величины испаряемой навески, растоннин от испарителя до подложки и некоторых других фанторов.Под действием излучении с длиной волны 265 и 33 нм и плотнос.д 4. 5 е 2 - тЬ Еь 10 от/см происходит лональное удаление пленок с подлоФормируется рельефный рисунок (масна).Минимальнни размер елементов рисунка, полученного с помощью лазерной вакуумной проекционной литографии (ЛВПЛ), составляет 0,6 мкм.Изобретение иллюстрируется примерами на испытание литографичеснии характеристик соединении 1.навеску оо 412 г 1 Н,11 Н 2,4-дионсоЗфенилпиримидо 4,5 Ь 31,5 бенеодиазепина (соединение 13 помещают в испаритель закрытого типа не нолибденнинелевой фольги толщиной 0,10 ми. кремниевую подложку ЕДБтО,З (нгеиний дырочной проводимости, легированный бором, с удельным сопротивлением 0,3 Оисн) диаметром ЪО мы толщиной 0,46 мыареплнрт на веэннем срезе полого стакана-цилиндра высотой 190 мм.Толщина глянцевой плнки, образовавшейся на нремниенои подложке, ОНа лабораторном макете установки для экспонирования Б полученной пленке методом ЛБПЛ формируют рельефный рисунок при остаточном давлении В камере 0,1 Торр. Лазер ЛТИ-ОЗ длина волны излучения 266 нм, средняя мощность 100-140 мВт, длительность импульсов 100 но частота их следования 9 кГц, проекционный масштаб 110, пропускание оптической системы 20 2. Под действием лазерного луча происходит локальное реиспарение пленки. Удельная энергия удаления плнки с подложки (Е) равна 141 Оз Дж/мкмз. Численное значение Е рассчитывали по формулекоефициент пропускания оптической системы (О 2) Ь время сканиронания одного чипа (1,5 с)о - число проходов лазерного луча (4)Р средняя мощность лазерного излучения (105 мВт)площадь одного чипа (91 Пб мкмз)Минимальный элем нт рисунка, полученный при экспонировании че рез гоотированную миру, равен 0,6 мкм. Пример 2 о т л И Ч а е т с я от примера 1 тем, что испаряют ОО 45 О г оое динения 1, а пленку формируют на поверхности диоксида кремнии. Тол Е равна 1210 Эшина плнки 1,0 мкм, микродефектнооть 0,6 ом Дж/мкмз (4 прохода при мощности 95 мВт). Пример З.