Василевский Юрий Георгиевич
Диод Шоттки
Номер патента: 16184
Опубликовано: 30.08.2012
Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Чиж Александр Леонидович, Малышев Сергей Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Голубев Николай Федорович, Василевский Юрий Георгиевич, Блынский Виктор Иванович
МПК: H01L 29/872
Текст:
...электрических импульсов за счет того, что выделение тепла в точках локального пробоя (приводящее к необратимым изменениям в полупроводнике и выходу из строя диода Шоттки или ухудшению его параметров) происходит одновременно во многих точках ОПЗ, распределенных по его объему, что уменьшает их локальный перегрев и обуславливает лучшие условия теплоотвода. Сущность изобретения поясняется на фигуре, где 1 - полупроводниковая подложка 2 -...
Вертикально-освещаемый планарный лавинный фотодиод
Номер патента: U 5908
Опубликовано: 28.02.2010
Авторы: Чиж Александр Леонидович, Малышев Сергей Александрович, Василевский Юрий Георгиевич
МПК: H01L 31/10
Метки: лавинный, фотодиод, вертикально-освещаемый, планарный
Текст:
...фотодиода по фоточувствительной поверхности, вызванную краевым лавинным пробоем. Сущность полезной модели поясняется фиг.1, на которой изображн поперечный разрез вертикально-освещаемого планарного лавинного фотодиода, где 1 - первый металлический электрод 2 - первый полупроводник первого типа проводимости 3 - первый полупроводник с собственной проводимостью 4 - второй полупроводник первого типа проводимости 5 - второй полупроводник с...
Вертикально-освещаемый фотодиод на основе p-n перехода (варианты)
Номер патента: 10226
Опубликовано: 28.02.2008
Авторы: Василевский Юрий Георгиевич, Малышев Сергей Александрович, Чиж Александр Леонидович
МПК: H01L 31/102, H01L 31/10
Метки: фотодиод, основе, перехода, варианты, вертикально-освещаемый
Текст:
...и второго металлического электрода, образующего омический контакт, в котором сформировано отверстие для ввода оптического излучения, в котором сформирован дополнительный металлический электрод относительно центра отверстия на расстоянии,обеспечивающем наилучшую равномерность электрического потенциала по фоточувствительной поверхности фотодиода при подаче оптического излучения, который образует омический контакт и электрически соединен со...