Патенты с меткой «p-i-n-фотодиод»
P-I-N-фотодиод с управляемой оптическим излучением ёмкостью
Номер патента: 9651
Опубликовано: 30.08.2007
Авторы: Малышев Сергей Александрович, Чиж Александр Леонидович
МПК: H01L 31/00, H01L 27/14
Метки: управляемой, оптическим, p-i-n-фотодиод, ёмкостью, излучением
Текст:
...проводимостью. Совокупность указанных признаков позволяет увеличить сопротивление - перехода и создать условие накопления фотоносителями избыточного электрического заряда в поглощающем полупроводнике с собственной проводимостью, что приводит к увеличению добротности фотодиода и уменьшению необходимой для управления оптической мощности. Данный фотодиод может также использоваться при оптическом управлении СВЧ цепями в качестве...