Патенты с меткой «планарных»
Композиция для получения твердых планарных источников бора при изготовлении изделий микроэлектроники
Номер патента: 15733
Опубликовано: 30.04.2012
Авторы: Дудкин Александр Иванович, Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович
МПК: H01L 21/02
Метки: получения, композиция, планарных, изделий, твердых, микроэлектроники, бора, изготовлении, источников
Текст:
...менее 1,4 мас.затрудняется процесс нанесения пасты на кремниевую подложку из-за ее растекания, что приводит к снижению качества и выхода годных ТПИБ. При содержании аэросила в композиции более 2,4 мас.также снижается качество и выход годных ТПИБ вследствие повышенной густоты композиции, затрудняющей равномерное заполнение ею отверстий в трафарете при изготовлении ТПИБ. Тетраэтоксисилан - прозрачная бесцветная жидкость со специфическим...
Способ изготовления твердых планарных источников бора при создании полупроводниковых приборов и интегральных схем
Номер патента: 15732
Опубликовано: 30.04.2012
Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Дудкин Александр Иванович, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: H01L 21/02
Метки: твердых, схем, полупроводниковых, изготовления, бора, способ, интегральных, приборов, планарных, создании, источников
Текст:
...процесс создания диффузанта из-за недостаточного связывания оксида бора и аэросила продуктами гидролиза тетраэтоксисилана, что также обусловливает плохое качество и низкий выход годных ТПИБ. Сушка пластин с нанесенным диффузантом на воздухе производится с целью перевода диффузанта из пастообразного в твердое состояние за счет испарения спирта и воды из водно-спиртового раствора ТЭОС. Первый этап термообработки при температуре...
Способ изготовления твердых планарных источников бора при создании полупроводниковых приборов и интегральных схем
Номер патента: 10429
Опубликовано: 30.04.2008
Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Матюшевский Анатолий Петрович
МПК: H01L 21/02
Метки: бора, интегральных, способ, планарных, источников, создании, полупроводниковых, изготовления, приборов, схем, твердых
Текст:
...активация источников бора.При содержании оксида бора в композиции менее 32,0 мас. снижается срок службы ТПИБ. При содержании оксида бора в композиции более 36 мас. затрудняется процесс создания ТПИБ и снижается их качество.Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и...