Чиж Александр Леонидович

Номер патента: 18438

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Блынский Виктор Иванович, Малышев Сергей Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Чиж Александр Леонидович

МПК: H01L 29/872

Метки: диод, шоттки

Текст:

...с одинаковым шагом, образующие с подложкой омический контакт, причем упомянутые локальные области выполнены с шириной в области эпитаксиального слоя, большей 2 мкм, и высотой, большей 0,1 толщины эпитаксиального слоя, но меньшей глубины залегания перехода охранного кольца. Барьерный электрод может быть сформирован в выемке глубиной от 0,1 до 0,3 мкм,выполненной в эпитаксиальном слое, что позволит улучшить чистоту границы раздела...

Номер патента: U 8641

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Микитчук Кирилл Борисович, Чиж Александр Леонидович, Малышев Сергей Александрович

МПК: H03B 5/00

Метки: оптоэлектронный, свч-генератор, варианты

Текст:

...7, вход которого соединен с выходом СВЧ-усилителя 6, и СВЧ-делитель 8, вход которого соединен с выходом полосового СВЧфильтра 7, а один из выходов электрически соединен со входом электрооптического преобразователя 1, другой выход СВЧ-делителя 8 является выходом оптоэлектронного СВЧгенератора. Оптоэлектронный СВЧ-генератор по варианту 2 содержит электрооптический преобразователь 9, рециркуляционную волоконно-оптическую линию задержки 10,...

Номер патента: 16184

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Чиж Александр Леонидович, Голубев Николай Федорович, Блынский Виктор Иванович, Василевский Юрий Георгиевич, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Малышев Сергей Александрович

МПК: H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...электрических импульсов за счет того, что выделение тепла в точках локального пробоя (приводящее к необратимым изменениям в полупроводнике и выходу из строя диода Шоттки или ухудшению его параметров) происходит одновременно во многих точках ОПЗ, распределенных по его объему, что уменьшает их локальный перегрев и обуславливает лучшие условия теплоотвода. Сущность изобретения поясняется на фигуре, где 1 - полупроводниковая подложка 2 -...

Номер патента: U 8220

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Малышев Сергей Александрович, Чиж Александр Леонидович

МПК: H01L 31/102

Метки: фотодиод, варианты, высокоскоростной, мощный

Текст:

...первого типа второй металлический электрод 6, образующий омический контакт с легированным полупроводниковым слоем 4 с проводимостью второго типа диэлектрический слой 7, изолирующий боковую поверхность мезаструктуры 1. При этом металлические электроды 5 и 6 выполнены в виде балок, расположенных в плоскости, параллельной полупроводниковым слоям 2, 3, 4, и изолированных от боковой поверхности мезаструктуры 1. Мощный высокоскоростной...

Номер патента: U 5908

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Василевский Юрий Георгиевич, Малышев Сергей Александрович, Чиж Александр Леонидович

МПК: H01L 31/10

Метки: фотодиод, планарный, вертикально-освещаемый, лавинный

Текст:

...фотодиода по фоточувствительной поверхности, вызванную краевым лавинным пробоем. Сущность полезной модели поясняется фиг.1, на которой изображн поперечный разрез вертикально-освещаемого планарного лавинного фотодиода, где 1 - первый металлический электрод 2 - первый полупроводник первого типа проводимости 3 - первый полупроводник с собственной проводимостью 4 - второй полупроводник первого типа проводимости 5 - второй полупроводник с...

Номер патента: 10226

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Чиж Александр Леонидович, Василевский Юрий Георгиевич, Малышев Сергей Александрович

МПК: H01L 31/10, H01L 31/102

Метки: варианты, перехода, основе, вертикально-освещаемый, фотодиод

Текст:

...и второго металлического электрода, образующего омический контакт, в котором сформировано отверстие для ввода оптического излучения, в котором сформирован дополнительный металлический электрод относительно центра отверстия на расстоянии,обеспечивающем наилучшую равномерность электрического потенциала по фоточувствительной поверхности фотодиода при подаче оптического излучения, который образует омический контакт и электрически соединен со...

Номер патента: 9651

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Чиж Александр Леонидович, Малышев Сергей Александрович

МПК: H01L 27/14, H01L 31/00

Метки: ёмкостью, оптическим, излучением, управляемой, p-i-n-фотодиод

Текст:

...проводимостью. Совокупность указанных признаков позволяет увеличить сопротивление - перехода и создать условие накопления фотоносителями избыточного электрического заряда в поглощающем полупроводнике с собственной проводимостью, что приводит к увеличению добротности фотодиода и уменьшению необходимой для управления оптической мощности. Данный фотодиод может также использоваться при оптическом управлении СВЧ цепями в качестве...