Патенты с меткой «фотодиод»

Номер патента: 16070

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Емельяненко Юрий Савельевич, Чапланов Аркадий Михайлович, Маркевич Мария Ивановна, Стельмах Вячеслав Фомич, Колос Владимир Владимирович, Адашкевич Сергей Владимирович

МПК: H01L 31/00

Метки: фотодиод

Текст:

...С 49. Из фигуры видно, что слой полупроводника 1 расположен на кремниевой подложке 2. На внешней стороне слоя полупроводника 1 расположен прозрачный металлический электрод 3, например, на основе тонкой (10 нм) пленки золота, образующей с ней выпрямляющий переход, а между второй стороной слоя полупро 2 16070 1 2012.06.30 водника 1 и кремниевой подложкой 2 расположен второй электрод 4, например, на основе приповерхностного слоя кремниевой...

Номер патента: U 8220

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Малышев Сергей Александрович, Чиж Александр Леонидович

МПК: H01L 31/102

Метки: фотодиод, варианты, высокоскоростной, мощный

Текст:

...первого типа второй металлический электрод 6, образующий омический контакт с легированным полупроводниковым слоем 4 с проводимостью второго типа диэлектрический слой 7, изолирующий боковую поверхность мезаструктуры 1. При этом металлические электроды 5 и 6 выполнены в виде балок, расположенных в плоскости, параллельной полупроводниковым слоям 2, 3, 4, и изолированных от боковой поверхности мезаструктуры 1. Мощный высокоскоростной...

Номер патента: U 7483

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Блынский Виктор Иванович, Лемешевская Алла Михайловна, Голуб Елена Степановна, Цымбал Владимир Сергеевич

МПК: H01L 21/00

Метки: фотодиод

Текст:

...точек их генерации до области полупроводника с типом проводимости, противоположным типу проводимости подложки. Большая глубина рельефа перехода позволяет увеличить чувствительность фотодиода не только к фиолетовому и голубому, но и к зеленому свету. Сущность полезной модели поясняется фигурами, где 1 - подложка,2 - первая область,3 - вторая область,4 - локальная область,5 - область пространственного заряда - перехода,6 - охранное кольцо,7 -...

Номер патента: U 7146

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Адашкевич Сергей Владимирович, Колос Владимир Владимирович, Стельмах Вячеслав Фомич, Чапланов Аркадий Михайлович, Емельяненко Юрий Савельевич, Маркевич Мария Ивановна

МПК: H01L 31/10

Метки: фотодиод

Текст:

...субмикронными размерами элементов. Это обеспечивает возможность использования обнаруженных полупроводниковых свойств, в том числе свойства фотопроводимости, в хорошо отработанных режимах и на оборудовании, используемом в современной электронной промышленности. Сущность заявляемого технического решения поясняется на фиг. 1, где схематически представлена структура варианта фотодиода, использующего слой полупроводника толщиной 70 нм на основе...

Номер патента: U 5908

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Чиж Александр Леонидович, Василевский Юрий Георгиевич, Малышев Сергей Александрович

МПК: H01L 31/10

Метки: фотодиод, планарный, лавинный, вертикально-освещаемый

Текст:

...фотодиода по фоточувствительной поверхности, вызванную краевым лавинным пробоем. Сущность полезной модели поясняется фиг.1, на которой изображн поперечный разрез вертикально-освещаемого планарного лавинного фотодиода, где 1 - первый металлический электрод 2 - первый полупроводник первого типа проводимости 3 - первый полупроводник с собственной проводимостью 4 - второй полупроводник первого типа проводимости 5 - второй полупроводник с...

Номер патента: 10226

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Малышев Сергей Александрович, Чиж Александр Леонидович, Василевский Юрий Георгиевич

МПК: H01L 31/10, H01L 31/102

Метки: варианты, перехода, основе, фотодиод, вертикально-освещаемый

Текст:

...и второго металлического электрода, образующего омический контакт, в котором сформировано отверстие для ввода оптического излучения, в котором сформирован дополнительный металлический электрод относительно центра отверстия на расстоянии,обеспечивающем наилучшую равномерность электрического потенциала по фоточувствительной поверхности фотодиода при подаче оптического излучения, который образует омический контакт и электрически соединен со...