Патенты с меткой «приборах»
Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых приборах на эпитаксиальном кремнии
Номер патента: 13719
Опубликовано: 30.10.2010
Авторы: Гурин Павел Михайлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич
МПК: H01L 21/02
Метки: кремнии, регулирования, неосновных, носителей, приборах, полупроводниковых, жизни, эпитаксиальном, времени, заряда, способ
Текст:
...С для увеличения времени жизни и потом до флюенса 11016 см-2 при температурах от -150 до 150 С для снижения времени жизни, а интенсивность пучка электронов подбирают такой, чтобы время облучения не превышало 600 и 3000 с соответственно. Способ основан на радиационно-стимулированных процессах, протекающих в облученных эпитаксиальных структурах и приводящих к улучшению характеристик приборов на основе таких структур. Так, эффект малых доз,...
Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда в мощных высоковольтных быстродействующих полупроводниковых приборах, изготавливаемых на базе ядернолегированного кремния
Номер патента: 10595
Опубликовано: 30.04.2008
Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович
МПК: H01L 21/02
Метки: ядернолегированного, времени, приборах, способ, жизни, быстродействующих, носителей, полупроводниковых, регулирования, мощных, неосновных, заряда, изготавливаемых, кремния, базе, высоковольтных
Текст:
...материала при производстве мощных высоковольтных приборов в результате облучения электронами с энергией 4-25 МэВ и последующего высокотемпературного отжига происходит образование эффективных центров рекомбинации, стабильных при температурах выше температуры посадки приборных структур на термокомпенсатор (порядка 600 С), которые позволяют обеспечить высокое быстродействие при низком уровне потерь в проводящем состоянии и небольших токах...