Малышев Сергей Александрович

Номер патента: 18438

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Малышев Сергей Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Блынский Виктор Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Чиж Александр Леонидович

МПК: H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...с одинаковым шагом, образующие с подложкой омический контакт, причем упомянутые локальные области выполнены с шириной в области эпитаксиального слоя, большей 2 мкм, и высотой, большей 0,1 толщины эпитаксиального слоя, но меньшей глубины залегания перехода охранного кольца. Барьерный электрод может быть сформирован в выемке глубиной от 0,1 до 0,3 мкм,выполненной в эпитаксиальном слое, что позволит улучшить чистоту границы раздела...

Номер патента: U 8641

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Малышев Сергей Александрович, Чиж Александр Леонидович, Микитчук Кирилл Борисович

МПК: H03B 5/00

Метки: оптоэлектронный, варианты, свч-генератор

Текст:

...7, вход которого соединен с выходом СВЧ-усилителя 6, и СВЧ-делитель 8, вход которого соединен с выходом полосового СВЧфильтра 7, а один из выходов электрически соединен со входом электрооптического преобразователя 1, другой выход СВЧ-делителя 8 является выходом оптоэлектронного СВЧгенератора. Оптоэлектронный СВЧ-генератор по варианту 2 содержит электрооптический преобразователь 9, рециркуляционную волоконно-оптическую линию задержки 10,...

Номер патента: U 8532

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Малышев Сергей Александрович, Блынский Виктор Иванович

МПК: H01L 27/15

Метки: фотоприемник

Текст:

...- переход, а один из фоточувствительных - переходов закрыт фильтром, блокирующим видимое излучение, на диэлектрике, поверх области не закрытой фильтром фоточувствительного - перехода, сформирован экран,частично закрывающийобласть таким образом, что выполняется соотношение 1 12(1 - 2) ,(1) где 1 - коэффициент отражения ИК излучения от поверхности диэлектрика надобластью фоточувствительного - перехода без фильтра 2...

Номер патента: 16184

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Чиж Александр Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Малышев Сергей Александрович, Голубев Николай Федорович, Василевский Юрий Георгиевич, Блынский Виктор Иванович

МПК: H01L 29/872

Метки: диод, шоттки

Текст:

...электрических импульсов за счет того, что выделение тепла в точках локального пробоя (приводящее к необратимым изменениям в полупроводнике и выходу из строя диода Шоттки или ухудшению его параметров) происходит одновременно во многих точках ОПЗ, распределенных по его объему, что уменьшает их локальный перегрев и обуславливает лучшие условия теплоотвода. Сущность изобретения поясняется на фигуре, где 1 - полупроводниковая подложка 2 -...

Номер патента: U 8220

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Чиж Александр Леонидович, Малышев Сергей Александрович

МПК: H01L 31/102

Метки: высокоскоростной, варианты, мощный, фотодиод

Текст:

...первого типа второй металлический электрод 6, образующий омический контакт с легированным полупроводниковым слоем 4 с проводимостью второго типа диэлектрический слой 7, изолирующий боковую поверхность мезаструктуры 1. При этом металлические электроды 5 и 6 выполнены в виде балок, расположенных в плоскости, параллельной полупроводниковым слоям 2, 3, 4, и изолированных от боковой поверхности мезаструктуры 1. Мощный высокоскоростной...

Номер патента: U 5908

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Малышев Сергей Александрович, Чиж Александр Леонидович, Василевский Юрий Георгиевич

МПК: H01L 31/10

Метки: лавинный, вертикально-освещаемый, планарный, фотодиод

Текст:

...фотодиода по фоточувствительной поверхности, вызванную краевым лавинным пробоем. Сущность полезной модели поясняется фиг.1, на которой изображн поперечный разрез вертикально-освещаемого планарного лавинного фотодиода, где 1 - первый металлический электрод 2 - первый полупроводник первого типа проводимости 3 - первый полупроводник с собственной проводимостью 4 - второй полупроводник первого типа проводимости 5 - второй полупроводник с...

Номер патента: 10226

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Василевский Юрий Георгиевич, Чиж Александр Леонидович, Малышев Сергей Александрович

МПК: H01L 31/102, H01L 31/10

Метки: перехода, вертикально-освещаемый, фотодиод, варианты, основе

Текст:

...и второго металлического электрода, образующего омический контакт, в котором сформировано отверстие для ввода оптического излучения, в котором сформирован дополнительный металлический электрод относительно центра отверстия на расстоянии,обеспечивающем наилучшую равномерность электрического потенциала по фоточувствительной поверхности фотодиода при подаче оптического излучения, который образует омический контакт и электрически соединен со...

Номер патента: 9651

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Малышев Сергей Александрович, Чиж Александр Леонидович

МПК: H01L 27/14, H01L 31/00

Метки: оптическим, ёмкостью, управляемой, излучением, p-i-n-фотодиод

Текст:

...проводимостью. Совокупность указанных признаков позволяет увеличить сопротивление - перехода и создать условие накопления фотоносителями избыточного электрического заряда в поглощающем полупроводнике с собственной проводимостью, что приводит к увеличению добротности фотодиода и уменьшению необходимой для управления оптической мощности. Данный фотодиод может также использоваться при оптическом управлении СВЧ цепями в качестве...