Патенты с меткой «создании»
Способ формирования изоперистальтического желудочного трансплантата при создании эзофаго- или фарингогастроанастомоза
Номер патента: 17455
Опубликовано: 30.08.2013
Авторы: Вакулич Денис Степанович, Журбенко Геннадий Анатольевич, Карпицкий Александр Сергеевич, Панько Сергей Владимирович, Боуфалик Ростислав Иванович, Шестюк Андрей Михайлович
МПК: A61B 17/00
Метки: или, изоперистальтического, желудочного, создании, способ, трансплантата, эзофаго, формирования, фарингогастроанастомоза
Текст:
...трансплантата вдоль большой кривизны желудка, где 1 пилорический отдел желудка, 2 - пилородуоденальный переход, 3 - малая кривизна желудка,4 - большая кривизна желудка, 5 - угол наложения сшивающего аппарата по отношению к продольной оси привратника, 6 - продольная ось привратника, 7 - изоперистальтический желудочный трансплантат, 8 - металлический шов со стороны большой и малой кривизны желудка, 9 - точка окончания формирования...
Способ изготовления твердых планарных источников бора при создании полупроводниковых приборов и интегральных схем
Номер патента: 15732
Опубликовано: 30.04.2012
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович, Дудкин Александр Иванович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович
МПК: H01L 21/02
Метки: схем, интегральных, приборов, полупроводниковых, твердых, источников, изготовления, создании, бора, способ, планарных
Текст:
...процесс создания диффузанта из-за недостаточного связывания оксида бора и аэросила продуктами гидролиза тетраэтоксисилана, что также обусловливает плохое качество и низкий выход годных ТПИБ. Сушка пластин с нанесенным диффузантом на воздухе производится с целью перевода диффузанта из пастообразного в твердое состояние за счет испарения спирта и воды из водно-спиртового раствора ТЭОС. Первый этап термообработки при температуре...
Способ изготовления твердых планарных источников бора при создании полупроводниковых приборов и интегральных схем
Номер патента: 10429
Опубликовано: 30.04.2008
Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Матюшевский Анатолий Петрович
МПК: H01L 21/02
Метки: полупроводниковых, планарных, источников, изготовления, интегральных, создании, бора, способ, схем, твердых, приборов
Текст:
...активация источников бора.При содержании оксида бора в композиции менее 32,0 мас. снижается срок службы ТПИБ. При содержании оксида бора в композиции более 36 мас. затрудняется процесс создания ТПИБ и снижается их качество.Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и...