H01L 21/70 — изготовление и обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее, или их особых частей; изготовление приборов на интегральных схемах или их особых частей
Способ планаризации микрорельефа при изготовлении интегральных схем
Номер патента: 13309
Опубликовано: 30.06.2010
Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Родин Георгий Федорович
МПК: H01L 21/02, H01L 21/70
Метки: микрорельефа, способ, планаризации, изготовлении, схем, интегральных
Текст:
...Вт/см 2 до вскрытия диэлектрических слоев на планарной поверхности подложки. Использование идентичной или сходной последовательности действий для решаемой задачи не обнаружено. Нанесение слоя жидкого стекла на центрифуге, толщиной над планарными поверхностями 0,250,35 мкм планаризует микрорельеф над канавками. Применение жидкого стекла, толщиной более 0,35 мкм нецелесообразно, так как повышения процента выхода годных интегральных схем не...
Состав для удаления металло-кремнийорганических полимерных остатков при изготовлении кремниевых интегральных микросхем
Номер патента: 9536
Опубликовано: 30.08.2007
Авторы: Медведева Анна Борисовна, Шикуло Владимир Евгеньевич, Плебанович Владимир Иванович, Кисель Анатолий Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич, Иванчиков Александр Эдуардович
МПК: C11D 7/60, H01L 21/70
Метки: микросхем, изготовлении, металло-кремнийорганических, состав, кремниевых, полимерных, интегральных, удаления, остатков
Текст:
...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...
Состав для химической очистки поверхности пленок на основе алюминия
Номер патента: 9415
Опубликовано: 30.06.2007
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Турыгин Анатолий Викторович, Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович, Плебанович Владимир Иванович
МПК: C11D 7/60, H01L 21/70
Метки: очистки, поверхности, химической, алюминия, пленок, состав, основе
Текст:
...алюминия равномерный слой оксида алюминия, что способствует протеканию анодного процесса коррозии. 3. Вызывает коррозию алюминия за счет взаимного усиления катодного и анодного процессов коррозии. В основу изобретения положена задача повышения качества очистки поверхности путем исключения процесса коррозии алюминия при проведении химической очистки поверхности пленок на основе алюминия. Сущность изобретения заключается в том, что состав...