Патенты с меткой «жизни»
Способ диагностики инфекционного поражения легких у недоношенного ребенка с синдромом респираторного расстройства при проведении искусственной вентиляции легких на 1-2 сутки жизни
Номер патента: 17827
Опубликовано: 30.12.2013
Автор: Гнедько Татьяна Васильевна
МПК: A61B 5/085
Метки: искусственной, диагностики, инфекционного, вентиляции, сутки, ребенка, респираторного, расстройства, синдромом, способ, поражения, жизни, проведении, легких, недоношенного
Текст:
...оценки показателей механики дыхания. Результат достигается в способе диагностики инфекционного поражения легких у недоношенного ребенка с синдромом респираторного расстройства при проведении искусственной вентиляции легких на 1-2 сутки жизни, заключающегося в том, что ребенку одновременно с проведением искусственной вентиляции легких регистрируют значения комплайнса и сопротивления дыхательных путей и диагностируют инфекционное...
Способ прогнозирования развития тяжелого неврологического нарушения у ребенка с постгипоксическим перинатальным поражением центральной нервной системы на первом году жизни
Номер патента: 14715
Опубликовано: 30.08.2011
Авторы: Мордовина Татьяна Григорьевна, Вильчук Константин Устинович, Перковская Алла Федоровна
МПК: A61B 5/00, G01N 33/53
Метки: способ, поражением, ребенка, постгипоксическим, центральной, нервной, нарушения, тяжелого, первом, жизни, году, системы, неврологического, развития, прогнозирования, перинатальным
Текст:
...этот способ имеет недостатки в сыворотке крови определяется уровень только одного НСБ, что не в полной мере может отразить поражение различных структурных элементов нервной ткани. К тому же уровень НСБ в сыворотке крови у новорожденного отражает только острую фазу нейродегенеративного процесса. Задачей изобретения является разработка способа, позволяющего с точностью не ниже 72 прогнозировать формирование тяжелой патологии ЦНС у детей первого...
Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых приборах на эпитаксиальном кремнии
Номер патента: 13719
Опубликовано: 30.10.2010
Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Гурин Павел Михайлович
МПК: H01L 21/02
Метки: неосновных, приборах, кремнии, регулирования, носителей, жизни, эпитаксиальном, заряда, времени, полупроводниковых, способ
Текст:
...С для увеличения времени жизни и потом до флюенса 11016 см-2 при температурах от -150 до 150 С для снижения времени жизни, а интенсивность пучка электронов подбирают такой, чтобы время облучения не превышало 600 и 3000 с соответственно. Способ основан на радиационно-стимулированных процессах, протекающих в облученных эпитаксиальных структурах и приводящих к улучшению характеристик приборов на основе таких структур. Так, эффект малых доз,...
Способ профилактики железодефицитной анемии у ребенка первых шести месяцев жизни
Номер патента: 10665
Опубликовано: 30.06.2008
Авторы: Ковалева Алла Ивановна, Смирнова Людмила Алексеевна, Вакульчик Виктор Георгиевич, Егорова Татьяна Юрьевна
МПК: A61K 33/26
Метки: ребенка, анемии, жизни, железодефицитной, месяцев, шести, первых, способ, профилактики
Текст:
...консультацию и стали на учет в сроке беременности 8-12 недель. Прегравидарная подготовка препаратами железа (ППЖ) не проводилась. Кроме определения гемоглобина,эритроцитов, тромбоцитов в установленные сроки у пациенток обеих групп изучались показатели сывороточного ферритина и сывороточного железа при постановке на учет(8-12 недель) и в 34-36 недель беременности. Общий анализ крови изучен у родившихся детей в первые сутки после рождения, в...
Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда в мощных высоковольтных быстродействующих полупроводниковых приборах, изготавливаемых на базе ядернолегированного кремния
Номер патента: 10595
Опубликовано: 30.04.2008
Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич
МПК: H01L 21/02
Метки: высоковольтных, заряда, быстродействующих, кремния, приборах, жизни, базе, регулирования, изготавливаемых, времени, способ, ядернолегированного, полупроводниковых, мощных, носителей, неосновных
Текст:
...материала при производстве мощных высоковольтных приборов в результате облучения электронами с энергией 4-25 МэВ и последующего высокотемпературного отжига происходит образование эффективных центров рекомбинации, стабильных при температурах выше температуры посадки приборных структур на термокомпенсатор (порядка 600 С), которые позволяют обеспечить высокое быстродействие при низком уровне потерь в проводящем состоянии и небольших токах...
Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда при изготовлении быстродействующих полупроводниковых приборов
Номер патента: 9993
Опубликовано: 30.12.2007
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич
МПК: H01L 21/02
Метки: быстродействующих, изготовлении, заряда, регулирования, неосновных, жизни, полупроводниковых, времени, способ, приборов, носителей
Текст:
...Флюенс облучения выбран в интервале 11016 - 51016 см-2, поскольку при флюенсе меньше 11016 см-2 концентрация образующихся при отжиге дефектов недостаточна для снижения времени жизни неосновных носителей до уровня, позволяющего добиться требуемых ТУ параметров быстродействия (время обратного восстановления). При флюенсе выше 51016 см-2 в результате отжига наряду с введением эффективных центров рекомби 2 9993 1 2007.12.30 нации также...