Патенты с меткой «неосновных»
Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых приборах на эпитаксиальном кремнии
Номер патента: 13719
Опубликовано: 30.10.2010
Авторы: Гурин Павел Михайлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич
МПК: H01L 21/02
Метки: неосновных, жизни, полупроводниковых, заряда, регулирования, приборах, носителей, времени, эпитаксиальном, кремнии, способ
Текст:
...С для увеличения времени жизни и потом до флюенса 11016 см-2 при температурах от -150 до 150 С для снижения времени жизни, а интенсивность пучка электронов подбирают такой, чтобы время облучения не превышало 600 и 3000 с соответственно. Способ основан на радиационно-стимулированных процессах, протекающих в облученных эпитаксиальных структурах и приводящих к улучшению характеристик приборов на основе таких структур. Так, эффект малых доз,...
Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда в мощных высоковольтных быстродействующих полупроводниковых приборах, изготавливаемых на базе ядернолегированного кремния
Номер патента: 10595
Опубликовано: 30.04.2008
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич
МПК: H01L 21/02
Метки: высоковольтных, изготавливаемых, мощных, регулирования, жизни, способ, быстродействующих, полупроводниковых, кремния, неосновных, ядернолегированного, заряда, носителей, времени, приборах, базе
Текст:
...материала при производстве мощных высоковольтных приборов в результате облучения электронами с энергией 4-25 МэВ и последующего высокотемпературного отжига происходит образование эффективных центров рекомбинации, стабильных при температурах выше температуры посадки приборных структур на термокомпенсатор (порядка 600 С), которые позволяют обеспечить высокое быстродействие при низком уровне потерь в проводящем состоянии и небольших токах...
Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда при изготовлении быстродействующих полупроводниковых приборов
Номер патента: 9993
Опубликовано: 30.12.2007
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич
МПК: H01L 21/02
Метки: времени, носителей, способ, неосновных, приборов, полупроводниковых, жизни, изготовлении, быстродействующих, регулирования, заряда
Текст:
...Флюенс облучения выбран в интервале 11016 - 51016 см-2, поскольку при флюенсе меньше 11016 см-2 концентрация образующихся при отжиге дефектов недостаточна для снижения времени жизни неосновных носителей до уровня, позволяющего добиться требуемых ТУ параметров быстродействия (время обратного восстановления). При флюенсе выше 51016 см-2 в результате отжига наряду с введением эффективных центров рекомби 2 9993 1 2007.12.30 нации также...