Патенты с меткой «стороны»
Способ формирования металлизации обратной стороны кристалла полупроводникового прибора
Номер патента: 18283
Опубликовано: 30.06.2014
Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Дудкин Александр Иванович, Подковщиков Николай Николаевич, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович
МПК: C23C 14/16, H01L 21/58
Метки: обратной, кристалла, металлизации, способ, формирования, прибора, стороны, полупроводникового
Текст:
...и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество эвтектики золото-кремний, что приводит к снижению качества присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине слоя...
Металлизация обратной стороны кристалла полупроводникового прибора
Номер патента: 18282
Опубликовано: 30.06.2014
Авторы: Дудкин Александр Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: H01L 21/58, C23C 14/16
Метки: металлизация, прибора, обратной, кристалла, полупроводникового, стороны
Текст:
...задачи объясняется следующим образом. Использование ванадия в качестве адгезионного слоя обеспечивает адгезию золота к кремнию с минимальным образованием возможных окисных прослоек, что способствует более эффективному диффузионному проникновению кремния в слой золота. Это приводит к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Выполнение слоя золота...
Способ формирования металлизации обратной стороны кремниевой пластины
Номер патента: 9677
Опубликовано: 30.08.2007
Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: H01L 21/02, H01L 23/48
Метки: обратной, металлизации, способ, пластины, кремниевой, формирования, стороны
Текст:
...кремний) придает буферному слою дополнительную устойчивость к процессам электромиграции и шипообразования, которые могут происходить во время пайки кристалла, а также в процессе эксплуатации ИСМЭ. Кроме того, нанесение сплавов алюминия в качестве материала буферного слоя позволяет ограничить взаимную диффузию кремния и алюминия повысить стойкость металлизации к воздействию повышенной температуры. Утонение кремниевой пластины со...