H01L 31/102 — характеризуемые наличием только одного потенциального или поверхностного барьера

Номер патента: U 8220

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Чиж Александр Леонидович, Малышев Сергей Александрович

МПК: H01L 31/102

Метки: высокоскоростной, варианты, фотодиод, мощный

Текст:

...первого типа второй металлический электрод 6, образующий омический контакт с легированным полупроводниковым слоем 4 с проводимостью второго типа диэлектрический слой 7, изолирующий боковую поверхность мезаструктуры 1. При этом металлические электроды 5 и 6 выполнены в виде балок, расположенных в плоскости, параллельной полупроводниковым слоям 2, 3, 4, и изолированных от боковой поверхности мезаструктуры 1. Мощный высокоскоростной...

Номер патента: 10226

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Чиж Александр Леонидович, Малышев Сергей Александрович, Василевский Юрий Георгиевич

МПК: H01L 31/102, H01L 31/10

Метки: вертикально-освещаемый, варианты, перехода, фотодиод, основе

Текст:

...и второго металлического электрода, образующего омический контакт, в котором сформировано отверстие для ввода оптического излучения, в котором сформирован дополнительный металлический электрод относительно центра отверстия на расстоянии,обеспечивающем наилучшую равномерность электрического потенциала по фоточувствительной поверхности фотодиода при подаче оптического излучения, который образует омический контакт и электрически соединен со...