H01L 21/285 — из газа или пара, например способом конденсации

Номер патента: 15149

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Каленик Вера Ивановна, Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич, Солодуха Виталий Александрович, Сидерко Александр Александрович

МПК: H01L 21/285, C23C 16/14

Метки: способ, пленок, фазы, химического, вольфрама, газовой, осаждения

Текст:

...от 360 до 475 С и давлении от 4 до 60 мм рт.ст., с подачей или без подачи азота, прекращение подачи моносилана и гексафторида вольфрама, создание в реакторе давления для осаждения основного слоя и осаждение основного слоя вольфрама восстановлением гексафторида вольфрама водородом при температуре от 360 до 475 С и давлении от 70 до 90 мм рт.ст. перед осаждением зародышевого слоя проводят выдержку пластины в среде моносилана с потоком от...