Завадский Сергей Михайлович
Способ получения тонких пленок для конденсаторных структур
Номер патента: 18396
Опубликовано: 30.08.2014
Авторы: Голосов Дмитрий Анатольевич, Каланда Николай Александрович, Завадский Сергей Михайлович, Гурский Леонид Ильич
МПК: C23C 14/08, C23C 14/28, H01G 7/06...
Метки: способ, конденсаторных, получения, пленок, тонких, структур
Текст:
...контроля над процессом получения однородных и однофазных пленок 0,540,463 для улучшения их сегнетоэлектрических и структурных ха 2 18396 1 2014.08.30 рактеристик, оптимизация режимов напыления тонких пленок цирконата титаната свинца с целью получения их воспроизводимых физико-химических свойств. Поставленная задача решается за счет того, что при получении тонкой пленки цирконата титаната свинца первоначально изготавливают мишень, а затем...
Способ получения мишени цирконата-титаната свинца
Номер патента: 17308
Опубликовано: 30.06.2013
Авторы: Голосов Дмитрий Анатольевич, Каланда Николай Александрович, Гурский Леонид Ильич, Завадский Сергей Михайлович
МПК: C23C 14/08, H01L 41/24, C04B 35/491...
Метки: способ, цирконата-титаната, мишени, свинца, получения
Текст:
...условиях контроля над содержанием свинца и кислорода в структуре 0,540,463, в воспроизводимости физико-химических свойств мишени, в использовании мелкодисперсных прекурсоров для избежания кинетических трудностей при фазообразовании, увеличения плотности и равномерного распределения пористости по объему мишени и управления, а также в упрощении технологического оборудования и уменьшения экономических затрат. Пример выполнения способа получения...
Реакторный блок установки эпитаксиального наращивания
Номер патента: 10260
Опубликовано: 28.02.2008
Авторы: Голосов Дмитрий Анатолиевич, Турцевич Аркадий Степанович, Достанко Анатолий Павлович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Завадский Сергей Михайлович, Авдеев Сергей Мартинович
МПК: C23C 16/00
Метки: наращивания, блок, установки, реакторный, эпитаксиального
Текст:
...реакторный блок установки эпитаксиального наращивания отличается от известного тем, что внутренняя поверхность кожухов выполнена полированной со средней шероховатостью поверхностине более 1 мкм, отражающее покрытие выполнено из алюминия или его сплавов с содержанием не более 1,5 кремния, а поверх отражающего покрытия нанесен защитный слой из оксида кремния толщиной 1-5 мкм. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных...
Установка для нанесения многослойных тонкопленочных покрытий на внутреннюю поверхность крупноформатных цилиндрических объектов ионно-плазменными методами
Номер патента: U 2737
Опубликовано: 30.06.2006
Авторы: Голосов Дмитрий Анатольевич, Достанко Анатолий Павлович, Свадковский Игорь Витальевич, Завадский Сергей Михайлович
МПК: C23C 14/00
Метки: методами, крупноформатных, внутреннюю, нанесения, объектов, ионно-плазменными, многослойных, цилиндрических, тонкопленочных, покрытий, поверхность, установка
Текст:
...ионную очистку, нанесение слоев методами магнетронного распыления, реактивного магнетронного распыления, непосредственного нанесения из ионного пучка и получать многослойные тонкопленочные структуры на крупноформатные подложки в едином вакуумном цикле, в том числе на внутреннюю поверхность цилиндрических объектов. На фиг. 1 показано схематичное изображение установки для нанесения многослойных тонкопленочных покрытий на внутреннюю...
Установка для нанесения многослойных тонкопленочных покрытий методом магнетронного распыления
Номер патента: U 918
Опубликовано: 30.06.2003
Авторы: Завадский Сергей Михайлович, Свадковский Игорь Витальевич, Голосов Дмитрий Анатольевич, Достанко Анатолий Павлович
МПК: C23C 14/34
Метки: покрытий, тонкопленочных, распыления, нанесения, установка, методом, многослойных, магнетронного
Текст:
...система расположена с внутренней стороны фланца, а ионный источник - с внешней стороны фланца. Это позволяет обеспечить нанесение тонкопленочных структур с заданной однородностью свойств по поверхности подложки при ограниченных габаритах фланцев Ионный источник включается перед нанесением очередного слоя и обеспечивает стимуляцию разряда магнетрона, что позволяет добиться одновременного функционирования магнетронной...