Патенты с меткой «селенида»

Номер патента: 16033

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Барсукова Екатерина Леонидовна, Якимович Владимир Никифорович, Левченко Владимир Иванович, Постнова Лариса Ивановна

МПК: C30B 29/48, C30B 23/00

Метки: способ, селенида, обработки, цинка, шихты, кристаллов, термической, выращивания

Текст:

...температуры и отпаивают. Недостатком прототипа является необходимость использования взрывоопасного оборудования и дорогостоящих средств безопасности, что приводит к высокой себестоимости выпускаемой продукции. Задачей настоящего изобретения является разработка простого, исключающего использование взрывоопасного водорода и сложного технологического оборудования способа повышения эффективности термической обработки исходной шихты. Поставленная...

Номер патента: 15905

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Левченко Владимир Иванович, Постнова Лариса Ивановна, Барсукова Екатерина Леонидовна

МПК: C30B 23/06, C30B 29/48, G02B 1/10...

Метки: цинка, селенида, эпитаксиальных, кремнии, пленок, пористом, выращивания, способ

Текст:

...течение 1-2 часов при температуре 350-400 С. Новым в предложенном способе является то, что перед напылением пленок селенида цинка кремниевые подложки со слоем пористого кремния подвергают отжигу в вакууме в течение 1-2 часов при температуре 350-400 С. Сущность предложенного изобретения заключается в том, что предварительный отжиг в вакууме позволяет очистить поры в кремнии от адсорбированных газов и продуктов, образовавшихся в процессе...

Номер патента: 14048

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Юмашев Константин Владимирович, Гапоненко Максим Сергеевич, Захаревич Галина Борисовна, Рачковская Галина Евтихиевна, Маляревич Александр Михайлович

МПК: C03C 14/00, B82B 1/00

Метки: просветляющихся, области, стекло, ближней, спектра, нанокристаллами, селенида, свинца, фильтров

Текст:

...применимо, на что указывают авторы патента. Кроме того,синтез стекла осуществляется в дорогостоящих и дефицитных стеклоуглеродных тиглях. Задачей предлагаемого изобретения является формирование в стеклянной матрице наночастицразмерами от 3,5 до 10,0 нм, обеспечение насыщаемого поглощения в спектральной области от 0,9 до 2,6 мкм и, как следствие, соответствующее расширение спектрального диапазона рабочих длин волн лазерного пассивного...

Номер патента: 10929

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Щербицкий Виктор Георгиевич, Левченко Владимир Иванович, Кисель Виктор Эдвардович, Сорокина Ирина Тиграновна, Кулешов Николай Васильевич, Постнова Лариса Ивановна

МПК: C30B 31/00, C30B 33/00, C30B 29/10...

Метки: цинка, кристаллов, селенида, хромом, легирования, способ

Текст:

...исходном нелегированном материале и введенные на стадии диффузии структурные дефекты. При этом вследствие того, что в процессе отжига в парах цинка устраняются не только введенные,но и присутствующие в исходном материале дефекты, в качестве последнего может быть использован недорогойс относительно большими оптическими потерями. Кроме того, разделение в предлагаемом способе стадий диффузионного легирования и отжига позволяет оптимизировать...