Патенты с меткой «выращивания»
Способ выращивания ремонтных свинок в подсосном периоде
Номер патента: 18541
Опубликовано: 30.08.2014
Авторы: Якшук Ольга Ивановна, Колесень Виктор Петрович
МПК: A01K 67/02
Метки: выращивания, способ, подсосном, ремонтных, периоде, свинок
Текст:
...крупноплодность молочность свиноматок, а также сохранность поросят-сосунов и скорость их роста под матками. Установили, что выращивание свинок, полученных от первоопоросок, в подсосном периоде под полновозрастными приемными матерями (опытная группа) стимулировало их рост. Вследствие этого по среднесуточному приросту живой массы за период от рождения до отъема и от отъема до передачи на осеменение (в возрасте 8-8,5 месяцев) пересаженные...
Способ выращивания производителей судака
Номер патента: 18021
Опубликовано: 28.02.2014
Авторы: Лепо Елена Александровна, Федорова Валентина Григорьевна, Минаев Олег Валерьевич, Сенникова Виолетта Дмитриевна, Мамедов Рустам Аслан оглы, Кончиц Виктор Владимирович
МПК: A01K 61/00
Метки: выращивания, способ, судака, производителей
Текст:
...маточного стада. Задачей настоящего изобретения является разработка способа выращивания производителей судака в искусственных условиях, по типовой технологической схеме применительно к судаку, сокращающего время наступления половой зрелости при которых они будут достигать половой зрелости в двухгодовалом возрасте, что снизит необходимость дополнительного выращивания производителей (3-4 года), а также уменьшится поголовье маточного...
Состав для получения субстрата для выращивания растений
Номер патента: 17711
Опубликовано: 30.12.2013
Авторы: Судник Алла Федоровна, Ламан Николай Афанасьевич, Калацкая Жанна Николаевна, Дорощук Ольга Владимировна, Вавилова Татьяна Валентиновна
МПК: A01G 31/00
Метки: выращивания, состав, субстрата, растений, получения
Текст:
...смеси. Поставленная задача решается предлагаемым составом для получения субстрата для выращивания растений, включающим глину, минеральные удобрения и верховой торф,причем он дополнительно в качестве структурообразователя содержит поливинилацетатную дисперсию и воду при следующем соотношении компонентов, г/л субстрата глина 250-255 минеральные удобрения 10-15 поливинилацетатная дисперсия 150-155 вода 95-100 верховой торф остальное. Состав для...
Устройство для гидропонного выращивания растений
Номер патента: U 9502
Опубликовано: 30.08.2013
Авторы: Долбик Михайло Арсеньевич, Долбик Николай Николаевич, Аутко Александр Александрович, Позняк Ольга Васильевна
МПК: A01G 31/00
Метки: выращивания, гидропонного, устройство, растений
Текст:
...в зоне корневой системы растения за счет использования полиэфирных материалов для влагонакопительных прокладок. Технический результат - повышение урожайности овощных культур. Поставленная задача решается тем, что в устройстве для гидропонного выращивания растений, выполненном в виде размещенной на грунте технологической системы, содержащей емкость для питательного раствора, выполненную в виде цельного изолированного технологического рукава...
Устройство для выращивания кристаллов
Номер патента: U 9126
Опубликовано: 30.04.2013
Авторы: Мозжаров Сергей Евгеньевич, Кашевич Ирина Федоровна, Шут Виктор Николаевич
МПК: C30B 7/04
Метки: кристаллов, выращивания, устройство
Текст:
...по составу кристаллизующимися жидкостями. При этом один отвод крана соединен со входом насоса, а два других - с трубками, помещенными в кристаллизующиеся жидкости. Программное управление обеспечивает работу насоса и механизма поворота крана и воронки по определенному алгоритму. Сопоставительный анализ предлагаемого устройства с прототипом показывает, что оно отличается от прототипа введением воронки, трехходового крана, механизма поворота...
Способ выращивания сеголеток судака при искусственном разведении судака
Номер патента: 16921
Опубликовано: 30.04.2013
Авторы: Федорова Валентина Григорьевна, Минаев Олег Валерьевич, Кончиц Виктор Владимирович, Сенникова Виолетта Дмитриевна, Мамедов Рустам Аслан оглы, Лепо Елена Александровна
МПК: A01K 61/00
Метки: судака, искусственном, разведении, выращивания, способ, сеголеток
Текст:
...полностью отдают икру, гнезда с отложенной икрой извлекают и заменяют новыми. Заполненные рамки очищают в бассейне под струей воды. Икру с каждого гнезда помещают в отдельный инкубационный аппарат. Для зарыбления выжившей молодью пруда площадью 10 га достаточно аппарата, который вмещает 20000 икринок. Выход сеголеток массой 10-15 г составляет 10(2-3 кг/га). Таким образом, выращивание мелкой сеголетки судака массой до 10 г в климатических...
Способ выращивания монокристаллов титанил-фосфата калия
Номер патента: 16848
Опубликовано: 28.02.2013
Авторы: Гурецкий Сергей Арсеньевич, Конойко Алексей Иванович, Кравцов Андрей Валерьевич, Лугинец Александр Михайлович, Колесова Ирина Михайловна
МПК: C30B 29/14, C30B 15/36, C30B 9/12...
Метки: способ, монокристаллов, выращивания, титанил-фосфата, калия
Текст:
...монокристаллов титанил-фосфата калия больших размеров и высокого оптического качества. Поставленная задача решается способом выращивания монокристалла титанилфосфата калия, в котором на монокристаллической затравке, основание которой ориентировано в плоскости (100), формируют боковые грани в плоскостях (1 1 0), (110), (20 1 ) и(201), затравку медленно опускают в состоящий из кристаллообразующих окислов и растворителя 6413 раствор-расплав,...
Способ трехлетнего выращивания клевера лугового скороспелого сорта на корм
Номер патента: 16695
Опубликовано: 30.12.2012
Автор: Чепелкин Николай Александрович
МПК: A01C 14/00, A01C 7/00
Метки: выращивания, скороспелого, корм, клевера, сорта, трехлетнего, способ, лугового
Текст:
...продукции по республике на 30-35 . Продуктивное долголетие клевера лугового при подсеве его под зерновые культуры составляет два года, т.е. во второй и третий годы жизни, по истечении которых он сильно выпадает. Биологические особенности клевера раннеспелых сортов позволяют уже в первый год жизни, т.е. в год подсева, получать полноценный урожай, делая его культурой трехлетнего использования. Практическая реализация этих особенностей возможна...
Контейнерное устройство для выращивания рассады или хранения мини-клубней картофеля
Номер патента: 16209
Опубликовано: 30.08.2012
Авторы: Янчевская Тамара Георгиевна, Пешков Сергей Альбертович, Бобров Владимир Александрович
МПК: A01F 25/14
Метки: картофеля, рассады, устройство, выращивания, или, контейнерное, мини-клубней, хранения
Текст:
...жесткости, дно корпуса имеет отверстия, диаметр каждого из которых не более 1 мм, а их количество не менее двух отверстий на 1 см 2, по периметру корпуса выполнены вентиляционные боковые отверстия в количестве, обеспечивающем осуществление воздухообмена. Козырек корпуса контейнера снабжен вертикальным бортиком для плотного соединения с крышкой. Общий вид устройства представлен на фиг. 1 - вид сбоку фиг. 2 - вид сверху фиг. 3 - вид сверху....
Контейнерное устройство для хранения мини-клубней картофеля или выращивания рассады
Номер патента: 16208
Опубликовано: 30.08.2012
Авторы: Пешков Сергей Альбертович, Янчевская Тамара Георгиевна, Бобров Владимир Александрович
МПК: A01F 25/14
Метки: мини-клубней, рассады, хранения, картофеля, контейнерное, выращивания, или, устройство
Текст:
...крышка снабжены ребрами жесткости, дно корпуса имеет отверстия, диаметр каждого из которых не более 1 мм, а их количество не менее двух отверстий на 1 см 2, по периметру корпуса выполнены вентиляционные боковые отверстия в количестве, обеспечивающем осуществление воздухообмена. Козырек корпуса снабжен вертикальным бортиком для плотного соединения с крышкой. Общий вид устройства представлен на фиг. 1 - вид сбоку фиг. 2 - вид сверху фиг. 3 - вид...
Устройство для выращивания биопленки
Номер патента: U 8420
Опубликовано: 30.08.2012
Авторы: Окулич Виталий Константинович, Плотников Филипп Викторович, Кабанова Арина Александровна
МПК: C12M 1/00
Метки: биопленки, выращивания, устройство
Текст:
...трудоемкость формирования углублений в базовой пластине несоответствие размеров конструкции стандартной стеклянной чашке Петри. Задачей предлагаемой полезной модели является разработка более простого, удобного в применении, доступного и наименее затратного устройства для выращивания биопленки. Поставленная задача достигается за счет того, что используют пластины диаметром 7 см, выполненные из нержавеющей стали, при этом одна из...
Способ выращивания телят
Номер патента: 16328
Опубликовано: 30.08.2012
Авторы: Каптур Зыгмусь Францевич, Каптур Нелли Семеновна, Каптур Вадим Зыгмусевич
МПК: A23K 1/00
Метки: способ, телят, выращивания
Текст:
...способы выпаивания активированной водой сельскохозяйственных животных и птиц 1. Эти способы не обеспечивают значительного повышения прироста живой массы животных при их выращивании. Пример 1 Подобранной контрольной группе телят выпаивают жидкие корма по принятым в хозяйстве рационам. Пример 2 Способ осуществляют аналогично примеру 1 за исключением того, что электрохимически активированную воду с окислительно-восстановительным...
Способ термической обработки шихты для выращивания кристаллов селенида цинка
Номер патента: 16033
Опубликовано: 30.06.2012
Авторы: Якимович Владимир Никифорович, Постнова Лариса Ивановна, Левченко Владимир Иванович, Барсукова Екатерина Леонидовна
МПК: C30B 23/00, C30B 29/48
Метки: цинка, кристаллов, способ, выращивания, шихты, термической, обработки, селенида
Текст:
...температуры и отпаивают. Недостатком прототипа является необходимость использования взрывоопасного оборудования и дорогостоящих средств безопасности, что приводит к высокой себестоимости выпускаемой продукции. Задачей настоящего изобретения является разработка простого, исключающего использование взрывоопасного водорода и сложного технологического оборудования способа повышения эффективности термической обработки исходной шихты. Поставленная...
Способ выращивания эпитаксиальных пленок селенида цинка на пористом кремнии
Номер патента: 15905
Опубликовано: 30.06.2012
Авторы: Барсукова Екатерина Леонидовна, Постнова Лариса Ивановна, Левченко Владимир Иванович
МПК: G02B 1/10, C30B 29/48, C30B 23/06...
Метки: селенида, пленок, пористом, способ, кремнии, цинка, выращивания, эпитаксиальных
Текст:
...течение 1-2 часов при температуре 350-400 С. Новым в предложенном способе является то, что перед напылением пленок селенида цинка кремниевые подложки со слоем пористого кремния подвергают отжигу в вакууме в течение 1-2 часов при температуре 350-400 С. Сущность предложенного изобретения заключается в том, что предварительный отжиг в вакууме позволяет очистить поры в кремнии от адсорбированных газов и продуктов, образовавшихся в процессе...
Способ выращивания виноградных улиток в качестве продукта питания
Номер патента: 15971
Опубликовано: 30.06.2012
Авторы: Ракач Светлана Ивановна, Пантелей Сергей Николаевич, Куцко Людмила Александровна, Адамчик Галина Георгиевна, Воронова Галина Петровна
МПК: A01K 67/033
Метки: качестве, продукта, выращивания, способ, питания, улиток, виноградных
Текст:
...корма от общей массы улиток-производителей, причем корм включает муку культурных злаков и карбонат кальция в соотношении 91, на 20-е сутки в корм вводят фолиевую кислоту из расчета 500 мг на 1 кг корма и уменьшают плотность посадки улиток-производителей до 90110 экз./м 2, еще через 10 суток под улиток-производителей в лоток слоем не менее 7 см вносят субстрат для кладки яиц, содержащий 70-75 кварцевого песка, 15-20 торфа,10 гипса, увлажняют...
Способ выращивания бройлеров
Номер патента: 15828
Опубликовано: 30.04.2012
Авторы: Шарейко Николай Александрович, Синцерова Анна Михайловна, Жалнеровская Алла Васильевна
МПК: A01K 67/00, A01K 31/00
Метки: выращивания, бройлеров, способ
Текст:
...что выращивание бройлеров включает содержание на полах (например, на глубокой подстилке), период выращивания осуществляют до 41-дневного возраста при переменной продолжительности светового дня и освещенности с 1-го по 2-й день выращивания - 24 ч,с 3-го по 6-й день - с 23 ч до 23 ч 10 мин,с 7-го по 21-й день - с 18 ч до 18 ч 10 мин,22-й день - с 19 ч до 19 ч 10 мин,с 23-го по 30-й день - с 20 ч до 20 ч 10 мин,с 31-го по 34-й день - с 21 ч до...
Способ подготовки почвы для выращивания рассады капусты белокочанной
Номер патента: 15408
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Скуратович Татьяна Александровна, Реуцкий Владимир Григорьевич
МПК: A01G 9/00
Метки: почвы, капусты, способ, подготовки, выращивания, белокочанной, рассады
Текст:
...своеобразную сверхустойчивость к обезвоживанию, увеличив активность механизмов, обеспечивающих баланс водообмена системы апопласт-клетки мезофилла листа при возрастании напряженности абиотической обстановки. Использование бидистиллированной воды с удельным сопротивлением не менее 1618 МОмсм основано на том, что водная суспензия сополимера натриевой соли акриловой кислоты и акриламида чувствительна к содержанию минеральных солей,...
Устройство для выращивания растений без земли на вертикальной поверхности
Номер патента: 15153
Опубликовано: 30.12.2011
Авторы: Родионов Петр Александрович, Реуцкий Владимир Григорьевич
МПК: A01G 31/02
Метки: земли, растений, устройство, выращивания, вертикальной, поверхности
Текст:
...имеющую прямоугольную форму, вертикально установленную, в нижней части рамы размещены емкость для накопления воды и питательных элементов. Модульные элементы размещены на вертикально установленной стенке. Каждый модульный элемент содержит корпус с входной и выходной трубками с размещенным в нем пористым субстратом 3. Недостаток устройства заключается в том, что в конструкции сложный доступ к корням, так как нужно изымать весь модуль, и...
Контейнерное устройство для выращивания рассады или хранения мини-клубней картофеля
Номер патента: 15302
Опубликовано: 30.12.2011
Авторы: Бобров Владимир Александрович, Пешков Сергей Альбертович, Янчевская Тамара Георгиевна
МПК: A01F 25/14
Метки: выращивания, картофеля, контейнерное, мини-клубней, хранения, рассады, устройство, или
Текст:
...цилиндров,которым соответствуют расположенные на одной вертикальной оси с ними гнезда цилиндрической формы, выполненные на крышке, при этом корпус и крышка снабжены ребрами жесткости, дно корпуса имеет отверстия, диаметр каждого из которых не более 1 мм, а их количество не менее двух отверстий на 1 см 2, по периметру корпуса выполнены вентиляционные боковые отверстия в количестве, обеспечивающем осуществление воздухообмена. Козырек корпуса...
Контейнерное устройство для хранения мини-клубней картофеля или выращивания рассады
Номер патента: 15301
Опубликовано: 30.12.2011
Авторы: Янчевская Тамара Георгиевна, Бобров Владимир Александрович, Пешков Сергей Альбертович
МПК: A01F 25/14
Метки: контейнерное, мини-клубней, или, картофеля, рассады, хранения, выращивания, устройство
Текст:
...на угловых выступах которого имеются фиксаторы, выполненные в форме полых цилиндров, которым соответствуют расположенные на одной вертикальной оси с ними гнезда цилиндрической формы, выполненные на крышке, при этом корпус и крышка снабжены ребрами жесткости, дно корпуса имеет отверстия, диаметр каждого из которых не более 1 мм, а их количество не менее двух отверстий на 1 см 2, по периметру корпуса выполнены вентиляционные боковые отверстия...
Способ выращивания сеголетков европейского сома в пруду
Номер патента: 15122
Опубликовано: 30.12.2011
Авторы: Докучаева Светлана Ивановна, Кончиц Виктор Владимирович, Радько Михаил Михайлович
МПК: A01K 61/00
Метки: способ, выращивания, европейского, сома, пруду, сеголетков
Текст:
...тем, что способ выращивания сеголетков европейского сома осуществляется в пруду, при котором в пруд высаживают 8-9-суточные личинки европейского сома в количестве 1,0-1,5 тыс. экз./га и выращивают в поликультуре с карпом, причем 3-суточные личинки карпа в количестве 100 тыс. экз./га или мальки карпа в количестве 50 тыс. экз./га высаживают одновременно с личинками европейского сома или спустя 1-2 суток. Заявленные признаки в формуле изобретения...
Способ выращивания монокристаллических пленок Y3Al5O12:Yb3+
Номер патента: 15126
Опубликовано: 30.12.2011
Авторы: Гурецкий Сергей Арсеньевич, Лугинец Александр Михайлович, Кравцов Андрей Валерьевич, Кулешов Николай Васильевич, Мащенко Александр Георгиевич, Колесова Ирина Михайловна
МПК: C30B 29/28, C30B 19/02
Метки: монокристаллических, способ, пленок, y3al5o12:yb3+, выращивания
Текст:
...концентрации кристаллообразующих окислов для надежного контроля толщины МП невозможно из-за резкого повышения вязкости раствора-расплава при более низких температурах 3. Задачей данного способа является снижение энергетических затрат и обеспечение возможности получения тонких пленок 10 - 100 мкм. Поставленная задача решается тем, что в способе выращивания монокристаллической пленки 35123, при котором готовят раствор-расплав,...
Агротехническая конструкция для выращивания огурцов
Номер патента: U 7566
Опубликовано: 30.08.2011
Автор: Желтиков Андрей Егорович
МПК: A01G 1/00
Метки: агротехническая, конструкция, выращивания, огурцов
Текст:
...На фиг. 3- общий вид термозащитного колпачка. На фиг. 4 - схема размещения термозащитного колпачка на грядке. На фиг. 5 - схема установки шпалерных столбиков на грядке. На фиг. 6 - схема установки колышков для подвязки огуречных плетей к шпалерному шнуру. Конструкция включает шпалеры 8 со средствами для их монтажа в виде столбиков 9,на вершинах 10 которых натянут шпалерный шнур 11, направляющий шнур 18, колышек 17,прозрачные термозащитные...
Препарат для внесения в почву для выращивания рассады засухоустойчивой капусты белокочанной
Номер патента: 14739
Опубликовано: 30.08.2011
Авторы: Реуцкий Владимир Григорьевич, Скуратович Татьяна Александровна
МПК: A01G 9/00
Метки: капусты, выращивания, засухоустойчивой, внесения, рассады, белокочанной, почву, препарат
Текст:
...не менее 1618 МОмсм основано на том, что водная суспензия сополимера натриевой соли акриловой кислоты и акриламида чувствительна к содержанию минеральных солей, органических и других примесей в растворе. Исходя из этого следует, что при приготовлении заявляемого препарата сухой остаток в растворителе - воде - не должен превышать 0,5 мг/л, кроме того,вода не должна содержать восстанавливающих веществ (органические вещества и...
Способ выращивания монокристаллов манганита лантана LaMnO3+?
Номер патента: 14280
Опубликовано: 30.04.2011
Авторы: Бычков Георгий Леонидович, Ширяев Сергей Витальевич, Барило Сергей Николаевич
МПК: C30B 29/10, C30B 9/00, C30B 17/00...
Метки: лантана, способ, lamno3+, манганита, монокристаллов, выращивания
Текст:
...вращения электрода 30 об/мин, температуре роста 10500,1 С, плотности тока 510 мА/см 2 в течение 80-100 часов до получения монокристалла и промывают выросшие монокристаллы в кислотном растворе. Новым, по мнению авторов, является то, что берут растворитель 24-3 в мольном соотношении 2,21, в качестве тигля используют платиновый тигель объемом 100 см 3, который является одним из электродов (катод), второй платиновый электрод(анод) с помещенной...
Питательная среда для выращивания бактерий и способ ее получения
Номер патента: 13763
Опубликовано: 30.10.2010
Авторы: Горбунова Ирина Александровна, Зайцева Алеся Владимировна, Зайцева Людмила Петровна, Билецкий Максим Олегович, Дремач Геннадий Эдуардович, Зайцев Владимир Владимирович
МПК: C12N 1/20
Метки: получения, бактерий, среда, выращивания, способ, питательная
Текст:
...бактерий составило соответственно 4,4 0,8 3,6 4,7 и 2,0 млрд/см 3 микробных клеток. Пример 2. Фарш мяса смешивают с протеолитическим ферментом алкалазой с активностью 2,4 /г в присутствии очищенной воды при соотношении компонентов 50,110 в течение 10 часов при температуре 45 С и 7,0. Протеолитический ферментолизат мяса, 5 -ный раствор хлорида натрия и очищенную воду смешивают в соотношении 5114. Выход среды составил 4,0 дм 3 с 1 кг мяса....
Устройство для выращивания кристаллов
Номер патента: U 6573
Опубликовано: 30.10.2010
Авторы: Кашевич Ирина Федоровна, Мозжаров Сергей Евгеньевич, Шут Виктор Николаевич
МПК: C30B 7/00, C30B 35/00
Метки: выращивания, устройство, кристаллов
Текст:
...механизм погружения кристаллодержателя с прикрепленным к нему кристаллом в раствор и перемещения кристаллодержателя по кругу в горизонтальной плоскости, а сосуд с кристаллизующейся жидкостью выполнен в виде емкости, разделенной перегородками на четыре отдельных секции, попарно заполненные различной по составу кристаллизующейся жидкостью. Программное управление обеспечивает движение кристаллодержателя по определенному алгоритму. Сущность...
Способ выращивания сеголеток европейского сома
Номер патента: 13293
Опубликовано: 30.06.2010
Автор: Докучаева Светлана Ивановна
МПК: A01K 61/00
Метки: способ, сеголеток, выращивания, европейского, сома
Текст:
...молоди сома, а вылов подрощенной молоди из прудов, их перевозка и пересадка в выростные пруды - с дополнительным их отходом. Задачей предлагаемого способа является упрощение и удешевление процесса выращивания посадочного материала европейского сома, исключение необходимости подращивания, вылова, перевозки и пересадки личинок сома, создание хороших кормовых и гидрохимических условий, уменьшение риска возникновения болезней и паразитарных...
Способ выращивания монокристаллов LnBaCo2O5+x, где Ln – Eu,Gd,Tb,Dy
Номер патента: 12461
Опубликовано: 30.10.2009
Авторы: Шестак Анатолий Сергеевич, Бычков Георгий Леонидович, Ширяев Сергей Витальевич, Барило Сергей Николаевич
МПК: C30B 9/00, C30B 29/10
Метки: монокристаллов, где, eu,gd,tb,dy, способ, выращивания, lnbaco2o5+x
Текст:
...шихту из порошков карбоната бария ВаСО 3 и оксида кобальта СО 3 О 4 в соотношении 23. Загруженный алундовый тигель помещают в вертикальную электрическую нагревательную печь, включают нагрев со скоростью 100-150 С/ч, нагревают до температуры 1000 С, выдерживают при этой температуре в течение 12 ч для разложения ВаСО 3. Далее продолжают нагрев с той же скоростью до появления расплава, который определяется визуально по появлению на поверхности...
Способ выращивания текстурированной керамики YBa2Cu3O7-?
Номер патента: 11997
Опубликовано: 30.06.2009
Авторы: Каланда Николай Александрович, Гурский Леонид Ильич
МПК: H01F 1/01, C04B 35/01, H01F 6/00...
Метки: выращивания, керамики, способ, текстурированной, yba2cu3o7
Текст:
...поля. Отсутствие воспроизводимости физико-химических свойств текстуры 237- из-за их ситеза в условиях далеких от термодинамического равновесия (быстрый нагрев с последующим плавлением 237-, закалка, помол, опять быстрый нагрев и т.д.), а также зависимости от предистории получения исходных реагентов. Задачей данного способа является упрощение способа выращивания текстурированной керамики 237- за счет прямого синтеза без промежуточных фаз,...
Способ выращивания монокристалла купрата иттрия-бария
Номер патента: 12020
Опубликовано: 30.06.2009
Автор: Каланда Николай Александрович
МПК: G30B 1/00
Метки: купрата, иттрия-бария, способ, выращивания, монокристалла
Текст:
...нагревают таблетку до температуры ее плавления,охлаждают до температуры начала кристаллизации со скоростью 15 К/ч, затем охлаждают до температуры 1240 К со скоростью 0,5 К/ч, а затем - до температуры 1210 К со скоростью 1,2 К/ч до получения указанного монокристалла. Сущность изобретения заключается в использовании в качестве исходных реагентов фаз 439- и ВаС 22 для проведения прямого синтеза без промежуточных фаз, ликвидации неравновесности...
Устройство для выращивания кристаллов
Номер патента: U 5048
Опубликовано: 28.02.2009
Авторы: Мозжаров Сергей Евгеньевич, Шут Виктор Николаевич
МПК: C30B 35/00, C30B 7/00
Метки: устройство, выращивания, кристаллов
Текст:
...направлена полезная модель, является создание устройства для выращивания кристаллов, обеспечивающего возможность выращивания из раствора кристаллов с закономерно неоднородным составом. Причем закон распределения примеси может быть определен заранее и изменен (при необходимости) во время роста кристалла, что предопределяет расширение технических возможностей устройства. Поставленная техническая задача решается тем, что при использовании...
Способ выращивания монокристаллической пленки Y3Al5O12:Nd3+
Номер патента: 11436
Опубликовано: 30.12.2008
Авторы: Гурецкий Сергей Арсеньевич, Каланда Николай Александрович, Кравцов Андрей Валерьевич, Лугинец Александр Михайлович, Колесова Ирина Михайловна
МПК: C30B 9/00, C30B 15/00, C30B 7/00...
Метки: выращивания, пленки, способ, монокристаллической, y3al5o12:nd3+
Текст:
...поэтапное наплавление раствора-расплава с его последующим гомогенизированием при 1250-1300 С. Монокристаллическую затравку из 3 А 5 О 12 опускают в тигель до ее касания поверхности нагретого раствора-расплава при 945-1020 С, содержащего оксиды РО, ВаО, 2 О 3 и А 2 О 3 на основе растворителя Р/В 2 О 3 в соотношении 11/1 моль/моль и кристаллообразующих А 2 О 3/2 О 3 в соотношении, находящемся в диапазоне 1-1,6 моль/моль. Подложку реверсивно...
Способ выращивания гриба дерматофита
Номер патента: 11353
Опубликовано: 30.12.2008
Авторы: Зайцева Виктория Владимировна, Зайцева Людмила Петровна, Дремач Геннадий Эдуардович
МПК: C12N 1/14
Метки: способ, дерматофита, выращивания, гриба
Текст:
...1, но культуру грибаштамма ТФ-130 суспендировали в растворителе при следующем соотношении ингредиентов, мас.натрия хлорид 0,12 экстракт дрожжевой 0,5 сыворотка крови 5,0 вода остальное. С 1 см 3 сусло-агара получили 172,2 млн. спор. Жизнеспособность спор составила 91 . 2 11353 1 2008.12.30 Пример 3 То же, что в примере 1, но культуру грибаштамма ТФ-130 суспендировали в растворителе при следующем соотношении ингредиентов, мас.натрия хлорид...
Устройство для выращивания крупнодоменной текстуры купрата иттрия-бария
Номер патента: U 4950
Опубликовано: 30.12.2008
Авторы: Каланда Николай Александрович, Гурский Леонид Ильич, Чобот Александра Николаевна, Лобановский Леонид Сергеевич
МПК: G11B 11/00
Метки: текстуры, крупнодоменной, иттрия-бария, выращивания, купрата, устройство
Текст:
...фазы (/)23 уменьшали размер и изменяли форму включений до округлой путем добавления 1 вес.2. Недостатками данного устройства являются сложность выращивания крупнодоменной текстуры, обусловленная невозможностью увеличения интервала температур разложения 23 О 7- из-за низкой температуры плавления (Тпл 1300 К) затравочного кристалла 1.82.43.4 и соответственно слабой гомогенизацией жидкости, неэкономность в ви 2 49502008.12.30 ду необходимости...
Способ выращивания монокристалла KGd(WO4)2:Nd3+
Номер патента: 11195
Опубликовано: 30.10.2008
Авторы: Гурецкий Сергей Арсеньевич, Каланда Николай Александрович, Кравцов Андрей Валерьевич
МПК: C30B 15/00
Метки: kgd(wo4)2:nd3+, выращивания, монокристалла, способ
Текст:
...затравка приводится во вращение и перемещается вверх с постоянной скоростью. Способ, описанный в работе 2, по своей сущности наиболее близок к предполагаемому изобретению и выбран в качестве прототипа. К недостаткам указанного способа следует отнести наличие привнесенных механических дефектов в растущем кристалле из-за механического повреждения затравочного кристалла в процессе его изготовления, а также образование кругового...
Способ выращивания товарной пресноводной креветки Macrobrachium nipponense (De Han) в умеренной климатической зоне
Номер патента: 11303
Опубликовано: 30.10.2008
Авторы: Кулеш Виктор Федорович, Алехнович Анатолий Васильевич
МПК: A01K 61/00
Метки: товарной, креветки, способ, климатической, зоне, умеренной, macrobrachium, пресноводной, выращивания, nipponense
Текст:
...подращивание посадочного материала и использование как живых, так и искусственных комбикормов, с сокращением периода выращивания до 4-х месяцев, что значительно упрощает технологический процесс и снижает себестоимость товарной продукции. Способ, решающий указанную задачу, осуществляется следующим образом. В конце апреля удобренные земляные пруды площадью 0,03-0,5 га заполняют водой из теплого сбросного канала теплоэлектростанции. В течение...
Устройство для выращивания олигохет
Номер патента: 11102
Опубликовано: 30.10.2008
Автор: Ус Василий Владимирович
МПК: A01K 67/00
Метки: олигохет, устройство, выращивания
Текст:
...направляющая, к которой жестко прикреплен корпус, выполненный в форме тороида из коррозионностойкой сетки с размером ячейки 3 мм и закрытой сверху и сбоку до уреза воды съемной крышкой-экраном, выполненный из светонепроницаемого и воздухопроницаемого материала, а внутри корпуса, в его нижней части, прилегающей к направляющей, размещена поплавковая камера, снабженная расположенными 2 11102 1 2008.10.30 внутри поплавками и отделенная от...
Способ выращивания монокристалла методом плавающей зоны
Номер патента: 10885
Опубликовано: 30.08.2008
Автор: Феонычев Александр Иванович
МПК: C30B 13/00, C30B 27/00, C30B 35/00...
Метки: способ, монокристалла, выращивания, методом, зоны, плавающей
Текст:
...к основной и дополнительной жидкости, а индекс 12 относится к границе раздела жидкостей. Рассмотрено также влияние продольного и поперечного постоянного магнитного поля на течение и тепломассоперенос. В патентах Японии 01282184 , МПК С 30 В 15/00,01 21/208, 1989 и 11180798 ,МПК 30 29/06,30 13/30,01 21/208, 1999, - поперечное или продольное магнитное поле предлагается использовать для снижения скорости движения расплава. В патенте США...
Светодиодное устройство для выращивания растений
Номер патента: U 4651
Опубликовано: 30.08.2008
Авторы: Лишик Сергей Иванович, Трофимов Юрий Васильевич
МПК: F21V 29/00, A01G 9/20
Метки: устройство, светодиодное, растений, выращивания
Текст:
...трубы. Совокупность указанных признаков позволяет путем использования тепла, выделяемого светодиодами для обеспечения оптимальной температуры грунта, улучшить эффективность применения светодиодных устройств для выращивания растений. Известно, что оптимальная температура грунта позволяет на 2-3 недели уменьшить срок вегетации растений и повысить урожайность на 30-40 , при этом равномерно развивается как корневая система, так и надземная часть...