Кузмицкий Антон Михайлович

Номер патента: 18209

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Асташинский Валентин Миронович, Костюкевич Евгений Алексеевич, Кузмицкий Антон Михайлович

МПК: G01J 5/00

Метки: расплава, зоны, времени, полупроводниковой, существования, способ, кремниевой, определения, мишени, поверхности

Текст:

...потоками. 18209 1 2014.06.30 Поставленная задача решается тем, что в способе определения времени существования зоны расплава на поверхности полупроводниковой кремниевой мишени, при котором воздействуют на полупроводниковую мишень высокоэнергетическим плазменным потоком из магнитоплазменного компрессора с образованием над поверхностью мишени интенсивно излучающего ударно-сжатого слоя плазмы, регистрируют долю прошедшего через мишень...

Номер патента: U 4905

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Кузмицкий Антон Михайлович, Авраменко Владимир Борисович

МПК: H05H 1/00

Метки: генерации, потоков, устройство, плазменных

Текст:

...разряда составляет 1-2 мм, при этом диэлектрические выступы канала разряда над замкнутыми электродами больше 2 мм. Совокупность указанных признаков позволяет решить поставленную техническую задачу за счет того, что электроды, выполненные с осевыми отверстиями и расположенные симметрично каналу разряда, утоплены в корпус на глубину, превышающую два диаметра плазменных струй из электродных пятен (больше 2 мм), что предотвращает их...

Номер патента: 6131

Опубликовано: 30.06.2004

Авторы: Кузмицкий Антон Михайлович, Авраменко Владимир Борисович, Минько Леонид Яковлевич

МПК: H05H 1/00

Метки: тонких, пленок, устройство, нанесения

Текст:

...камерах. Сущность изобретения поясняется чертежом, где представлен общий вид предлагаемого устройства (фиг. 1). Устройство содержит полый цилиндрический корпус 1, электродные камеры 2, разрядную камеру 3, два электрода 4, расположенные с противоположных сторон цилиндри 2 6131 1 ческого корпуса 1, канал для прохождения разряда 5 и отверстие в боковой поверхности для прохождения плазмы 6, регулятор объема электродных камер 7. Устройство...

Номер патента: 2643

Опубликовано: 30.03.1999

Авторы: Кузмицкий Антон Михайлович, Ковалев Андрей Михайлович, Авраменко Владимир Борисович

МПК: H05H 1/00

Метки: плазмы, источник, эрозионной

Текст:

...площади отверстий для истечения плазмы 1 к минимальной площади сечения разрядного канала 2 (фиг. 2). Спектральные линии атома меди представляют материал электродов, а атома водорода - диэлектрика. Следует отметить, что график получен из спектрограмм, усредненных по 20 - 60 разрядам каждая и является не скорректированным по спектральной чувствительности фотоэмульсии (учет спектральной чувствительности приводит лишь к уменьшению масштаба...