C23C 16/14 — осаждение только одного другого металла
Способ химического осаждения из газовой фазы пленок вольфрама
Номер патента: 15149
Опубликовано: 30.12.2011
Авторы: Каленик Вера Ивановна, Турцевич Аркадий Степанович, Сидерко Александр Александрович, Наливайко Олег Юрьевич, Солодуха Виталий Александрович
МПК: C23C 16/14, H01L 21/285
Метки: вольфрама, фазы, химического, осаждения, способ, пленок, газовой
Текст:
...от 360 до 475 С и давлении от 4 до 60 мм рт.ст., с подачей или без подачи азота, прекращение подачи моносилана и гексафторида вольфрама, создание в реакторе давления для осаждения основного слоя и осаждение основного слоя вольфрама восстановлением гексафторида вольфрама водородом при температуре от 360 до 475 С и давлении от 70 до 90 мм рт.ст. перед осаждением зародышевого слоя проводят выдержку пластины в среде моносилана с потоком от...