H01L 21/205 — разложением газовой смеси с выходом твердого конденсата или химическим осаждением

Номер патента: 18138

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Пшеничный Евгений Николаевич, Солодуха Виталий Александрович, Трусов Виктор Леонидович, Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C23C 16/30, H01L 21/205, C23C 16/56...

Метки: способ, пленок, фосфором, осаждения, легированных, кремния

Текст:

...сопротивления. И, наконец, формирование аморфного подслоя кремния способствует снижению общей шероховатости осаждаемой пленки. При температуре осаждения ниже 540 С существенно снижается скорость осаждения,что снижает производительность процесса. При температуре выше 560 С осаждается аморфно-кристаллический подслой кремния, что приводит к повышению шероховатости поверхности осажденных пленок, а также к сегрегации фосфора на границах...

Номер патента: 15299

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Пшеничный Евгений Николаевич, Солодуха Виталий Александрович, Комаров Фадей Фадеевич, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/205, C23C 16/30

Метки: тонких, осаждения, пленок, способ

Текст:

...осаждения, с другой стороны, с уменьшением температуры возрастает содержаниев пленкахпри одинаковых концентрациях моногермана в газовой фазе. При температурах ниже 560 скорость осаждения пленок нелегированного кремния при пониженном давлении становится менее 2,0 нм/мин, что позволяет увеличить длительность осаждения пленок толщиной 25 нм до 12 минут, что способствует повышению управляемости и воспроизводимости процесса осаждения по толщине и...